據(jù)美國商務部發(fā)布消息,美國商務部長Howard Lutnick于4月29日參訪臺積電位于亞利桑那州的晶圓廠,并宣布第三座晶圓廠已正式動工。
臺積電董事長魏哲家表示,此次投資是美國歷史上規(guī)模最大的單筆外人直接投資案。在客戶和各級政府的支持下,臺積電計劃增加1000億美元投資,用于建設3座新晶圓廠、2座先進封裝廠及1間研發(fā)中心。結合此前已公布的亞利桑那州3座晶圓廠計劃,臺積電在美總投資金額預計將達到1650億美元。
目前,第一座晶圓廠已于2024年第4季采用N4制程技術成功量產(chǎn),良率與中國臺灣晶圓廠相當;第二座晶圓廠采用3納米制程技術,已完成建設,正加速量產(chǎn)進度;第三座晶圓廠則計劃采用N2和A16制程技術,預計2025年稍晚開始建設。
此外,臺積電還計劃建設第四、第五和第六座晶圓廠,分別采用更先進的制程技術。這些晶圓廠的建設與量產(chǎn)將根據(jù)客戶需求逐步推進。同時,臺積電將在亞利桑那州設立先進封裝設施和研發(fā)中心,以完善AI供應鏈。

值得注意的是,為避免關鍵技術外流,中國臺灣“經(jīng)濟部”近期通過了產(chǎn)創(chuàng)第22條修正案,規(guī)定對特定國家或地區(qū)、特定產(chǎn)業(yè)或技術的投資需事先申請。臺積電加碼投資美國的相關計劃是否符合“N-1”規(guī)定備受關注。
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