據“深圳平湖實驗室”官微消息，2025年九峰山論壇（JFSC）暨化合物半導體產業博覽會（CSE）期間，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺全面展示了其科研、設計仿真、中試及分析檢測能力。同時，該平臺還推出了一系列自主研發的產品，包括8英寸SiC激光剝離襯底及復合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件以及1200V 20A SiC SBD器件。
2024年11月，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺正式建成并發布。目前，該平臺在碳化硅、氧化鎵等領域取得了重要進展。
SiC襯底激光剝離技術進展
SiC材料的莫氏硬度高達9.5，加工難度極大。以一顆厚度為20毫米的SiC晶錠為例，單片損失按300微米計算，理論上可產出30片晶片，但單片材料損耗率高達46%。為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發了激光剝離工藝，以替代傳統的多線切割工藝。其工藝流程如下圖所示：
圖源：深圳平湖實驗室
激光剝離工藝與多線切割工藝的對比顯示，前者在提高生產效率、降低成本方面具有顯著優勢，其推廣對加速8英寸SiC襯底的產業化進程具有重要意義。
氧化鎵材料研究突破
氧化鎵因其超寬帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，被認為是功率器件的理想材料。然而，其價帶頂能級低、p型摻雜困難等問題限制了其應用。深圳平湖實驗室第四代材料與器件課題組通過銠固溶方式，開發了一種新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導體。該研究成果已發表于《Advanced Electronic Materials》期刊，并被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。
研究顯示，銠固溶氧化鎵具有較高的穩定性，其價帶頂能級較氧化鎵顯著上升，且價帶頂附近的能帶色散曲率增加，有助于實現p型摻雜。銠摩爾比為25%時，其空穴有效質量僅為氧化鎵的52.3%，這為改進器件性能和擴展材料應用范圍提供了新的可能性。
圖源：深圳平湖實驗室

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