據(jù)清純半導(dǎo)體官方消息，其最新推出的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)，主推芯片型號(hào)為S3M008120BK，常溫導(dǎo)通電阻僅為8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。這一技術(shù)突破使得新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器能夠進(jìn)一步釋放SiC高功率密度和高能量轉(zhuǎn)化效率的潛力，從而有效提升續(xù)航里程。
圖源：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rsp變化）
官方資料顯示，清純半導(dǎo)體第一代產(chǎn)品的比導(dǎo)通電阻為3.3 mΩ·cm2，2023年發(fā)布的第二代產(chǎn)品降低至2.8 mΩ·cm2，2024年進(jìn)一步優(yōu)化至2.4 mΩ·cm2。此次第三代平臺(tái)通過專利技術(shù)和工藝優(yōu)化，在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，保持了與前兩代產(chǎn)品相近的優(yōu)良短路耐受特性。
圖源：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rsp變化）
此外，S3M008120BK芯片的額定電壓為1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。在同等芯片面積下，與上一代技術(shù)相比，導(dǎo)通損耗降低了約20%。同時(shí)，動(dòng)態(tài)性能方面，該芯片寄生電容進(jìn)一步降低，開關(guān)速度提高，并顯著改善了MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性。
圖源：清純半導(dǎo)體（圖為S3M008120BK芯片輸出特性）
值得一提的是，清純半導(dǎo)體與士蘭微電子已深化8英寸SiC量產(chǎn)線的技術(shù)合作。士蘭微電子預(yù)計(jì)2025年一季度完成8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線的封頂，四季度初步通線，2026年一季度進(jìn)入試生產(chǎn)階段。雙方將共同開發(fā)溝槽型SiC MOSFET等新產(chǎn)品。
圖源：清純半導(dǎo)體（圖為S3M008120BK芯片與2代同類產(chǎn)品反向恢復(fù)波形對(duì)比）
與此同時(shí)，VBsemi（微碧半導(dǎo)體）也發(fā)布了其第三代SiC MOSFET產(chǎn)品，針對(duì)電動(dòng)汽車直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）及雙向充電（V2G）領(lǐng)域進(jìn)行優(yōu)化。據(jù)官方介紹，新產(chǎn)品采用先進(jìn)SiC工藝，開關(guān)損耗降低50%以上，系統(tǒng)效率突破96%。相比IGBT方案，其熱能損耗顯著減少，冷卻設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化。

圖源：VBsemi（圖為VBsemi MOSFET為快充與儲(chǔ)能優(yōu)化設(shè)計(jì)）
VBsemi的第三代SiC MOSFET具備高功率密度，小封裝設(shè)計(jì)（如T0247、T02474L）支持高電流輸出，節(jié)省PCB空間。例如，型號(hào)為VBP112MC100的產(chǎn)品在100A電流下導(dǎo)通電阻僅為21mΩ，適用于大功率密集部署場(chǎng)景。全系列器件已通過嚴(yán)格的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，確保在高溫、高濕等嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定性。

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