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上汽英飛凌無錫產線擴建,功率半導體模塊年產能將達420萬片

來源:icspec 責編: 時間:2025-04-23 10:32:47 53觀看
導讀近日,上汽英飛凌發布了關于無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環評公告。公告顯示,此次擴建項目計劃新增總投資3.1億元人民幣,選址位于無錫分公司。擴建完成后,該分公司將新增第二代框架式功率模塊產品150萬片產能,年總產能
近日,上汽英飛凌發布了關于無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環評公告。公告顯示,此次擴建項目計劃新增總投資3.1億元人民幣,選址位于無錫分公司。擴建完成后,該分公司將新增第二代框架式功率模塊產品150萬片產能,年總產能將從現有的260萬片提升至420萬片。
公開信息顯示,上汽英飛凌成立于2018年3月,由上汽集團持股51%、英飛凌持股49%合資組建,總部設在上海。英飛凌無錫工廠的歷史可以追溯到1995年,其前身為西門子半導體無錫工廠,專注于半導體后道封裝測試、功率半導體(如IGBT模塊)以及智能卡芯片的生產。
據無錫市人民政府消息,英飛凌無錫基地正在加速擴產,并引進全球最新的第三代功率半導體器件產品,目標是打造國內規模最大、技術水平國際領先的功率半導體器件生產基地。2025年1月,無錫高新區(新吳區)舉行的一季度重大項目中提到,英飛凌功率半導體器件項目正在加緊建設,總投資達15.5億元。
據悉,英飛凌于1995年在無錫設立工廠,2001年引入智能卡芯片生產線,為后續制造工藝奠定了基礎。2013年,公司啟動智能工廠建設,邁出了數字化轉型的重要一步;2015年,英飛凌半導體(無錫)有限公司正式成立,進一步推動了本土智能制造的發展。

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