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韓美HBM設備,或成三星逆襲王牌

來源:icspec 責編: 時間:2025-04-23 10:32:38 46觀看
導讀隨著韓美半導體與SK海力士的合作關系出現裂痕,外界將目光投向韓美半導體與三星電子的潛在合作。熱壓鍵合機(TCB)是高帶寬存儲器(HBM)的關鍵設備。TCB在HBM制造過程中起著至關重要的作用,它通過施加熱量和壓力,將多個DRAM芯片

隨著韓美半導體與SK海力士的合作關系出現裂痕,外界將目光投向韓美半導體與三星電子的潛在合作。

熱壓鍵合機(TCB)是高帶寬存儲器(HBM)的關鍵設備。TCB在HBM制造過程中起著至關重要的作用,它通過施加熱量和壓力,將多個DRAM芯片精準地堆疊并連接起來,直接影響HBM的品質。

2017年,韓美半導體成功開發出用于HBM的TCB設備,并自2022年起獨家供應給SK海力士。韓國業內普遍認為,SK海力士在HBM領域的出色競爭力,很大程度上得益于韓美半導體設備的先進技術。

然而,SK海力士與韓華Semitech簽訂價值420億韓元(約2,964萬美元)的TCB供應合同,致使其與韓美半導體長達8年的合作關系出現轉折。據韓媒IT Chosun報道,業界消息顯示,韓美半導體正計劃與三星就TCB等主要設備供應展開協商。有消息稱,韓美半導體已開始向部分三星集團關聯企業小批量供應設備。

圖源:法新社

事實上,韓美半導體與三星的合作之路并非一帆風順。2011年,韓美半導體與三星設備子公司SEMES曾陷入專利訴訟,此后十多年雙方幾乎沒有業務往來。盡管2024年雙方有過短暫接觸,但并未取得實質性進展。

業內人士指出,HBM生產需堆疊12層甚至16層,先進封裝技術至關重要,尤其是本體黏合(bonding)制程難度極高。穩定的HBM良率是實現量產效益的關鍵,因此,獲取先進設備成為SK海力士和三星發展HBM業務的首要任務。對SK海力士而言,多元化的設備供應有助于降低經營風險、控制采購成本。

韓國業界高度關注韓美半導體與三星能否達成實質性合作。韓美半導體掌握非導電薄膜熱壓縮(TC-NCF)及回焊模塑封裝(MR-MUF)等封裝制程技術,其中三星和美光采用TC-NCF技術,SK海力士采用MR-MUF技術,而韓華Semitech僅具備MR-MUF設備能力。作為韓國唯一能夠同時支持TC-NCF和MR-MUF技術的設備廠商,韓美半導體供應靈活性極高。若與三星達成合作,雙方有望實現技術互補、協同增效,形成雙贏局面。

據悉,富士德公司是韓美半導體在大中華區的合作推廣伙伴。


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