據(jù)韓媒Money Today援引業(yè)界消息，三星電子在測試高數(shù)值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）微影設(shè)備時，成功將特定制程時間縮短60%。這一成果表明，三星在提升半導(dǎo)體生產(chǎn)效率方面取得重要進(jìn)展，預(yù)計該設(shè)備將被廣泛應(yīng)用于2納米及以下先進(jìn)制程。
ASML在近期的電話財報會議上罕見直接提及三星、英特爾等客戶名稱，并公布了High NA EUV設(shè)備的最新進(jìn)展。這一舉動被認(rèn)為是為了消除市場對新設(shè)備性能的疑慮。據(jù)悉，High NA EUV設(shè)備能夠一次性生成超微細(xì)電路圖案，晶體管密度提升2.9倍，顯著降低曝光作業(yè)的時間與成本。
在先進(jìn)制程領(lǐng)域，High NA EUV設(shè)備被視為關(guān)鍵工具。三星計劃在2025年量產(chǎn)2納米制程，并在2027年推出1.4納米制程，而臺積電同樣預(yù)計在2027年量產(chǎn)1.4納米制程，屆時兩家公司都將采用該設(shè)備。ASML目前僅生產(chǎn)了5臺EXE:5000型號設(shè)備，其中一臺據(jù)傳已于2025年第一季度交付三星。目前，僅有英特爾、臺積電和三星獲得了這一設(shè)備的供應(yīng)。
ASML計劃停止供應(yīng)第一代EXE:5000，轉(zhuǎn)而推出新機(jī)型EXE:5200，重點研發(fā)新曝光制程。預(yù)計從2026年起，新版設(shè)備將正式投入量產(chǎn)，三星也有望成為首批獲得EXE:5200供應(yīng)的企業(yè)之一。
由于每臺High NA EUV設(shè)備售價高達(dá)5000億韓元（約合3.5億美元），且供應(yīng)數(shù)量有限，該設(shè)備將主要用于關(guān)鍵制程。三星在獲得EXE:5000之前，已提前研究光罩（photomask）和次世代制程技術(shù)，具備一定的先發(fā)優(yōu)勢。
業(yè)內(nèi)人士指出，High NA EUV設(shè)備通過強光一次性完成多階段繪制作業(yè)，不僅能提高生產(chǎn)效率，還能減少制程步驟，從而降低錯誤率，進(jìn)一步提升良率。

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