據(jù)日經(jīng)、NHK等媒體報(bào)道，美國(guó)傳感器與功率半導(dǎo)體制造商Polar Semiconductor與日本瑞薩電子達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，授權(quán)瑞薩使用其氮化鎵覆硅基D模式（GaN-on-Si D-Mode）技術(shù)。雙方將共同推動(dòng)高電壓650V等級(jí)GaN-on-Si半導(dǎo)體元件的商業(yè)化生產(chǎn)。
Polar位于美國(guó)明尼蘇達(dá)州Bloomington的200mm（8寸）晶圓制造廠，已升級(jí)為符合車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)工廠，配備了最新的制程與自動(dòng)化設(shè)備。這一升級(jí)為滿足下一代半導(dǎo)體需求奠定了基礎(chǔ)。通過(guò)擴(kuò)展至200mm晶圓尺寸，GaN技術(shù)在成本效率和創(chuàng)新架構(gòu)方面的優(yōu)勢(shì)將得到進(jìn)一步釋放，從而加速市場(chǎng)采用。
瑞薩電子的電源產(chǎn)品事業(yè)群資深副總裁暨總經(jīng)理Chris Allexandre表示，與Polar的合作不僅擴(kuò)展了瑞薩成熟的GaN技術(shù)至200mm晶圓，還確保了產(chǎn)品在美國(guó)本土的生產(chǎn)能力，為客戶提供更多元化的供應(yīng)來(lái)源。Polar總裁暨營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Surya Iyer則強(qiáng)調(diào)，Polar是美國(guó)唯一專注于傳感器、電源與高電壓半導(dǎo)體的本土獨(dú)立晶圓代工廠，其制造能力將為關(guān)鍵國(guó)防計(jì)劃提供支持。
此次合作的目標(biāo)是將GaN元件的應(yīng)用范圍擴(kuò)展至汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)性電子、工業(yè)應(yīng)用、航太與國(guó)防等關(guān)鍵領(lǐng)域。同時(shí)，這項(xiàng)協(xié)議也符合美國(guó)當(dāng)前推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)制造的政策趨勢(shì)，確保尖端技術(shù)的穩(wěn)定供應(yīng)。
據(jù)報(bào)道，美國(guó)總統(tǒng)川普在2025年2月宣布對(duì)進(jìn)口汽車征收25%關(guān)稅的同時(shí)，還計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體和醫(yī)藥品征收25%以上的關(guān)稅，并在一年內(nèi)進(jìn)一步提高稅率。此舉意在推動(dòng)全球企業(yè)將生產(chǎn)基地遷至美國(guó)，以規(guī)避關(guān)稅。此外，在拜登政府任內(nèi)，Polar曾于2024年5月獲得約1.23億美元的《芯片與科學(xué)法案》補(bǔ)助，用于明尼蘇達(dá)州工廠的擴(kuò)建，目標(biāo)是在兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能翻倍。

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