據報道，富士康研究院半導體所近期與陽明交通大學及德州大學奧斯汀分校展開跨國合作，成功在第四代半導體領域取得突破性進展。相關研究成果已發表于國際權威期刊《Applied Surface Science Advances》和《ACS Applied Electronic Materials》。
第四代半導體主要指超寬能隙（UWBG）材料，例如鉆石、AlN、β-Ga?O?等。這類材料因其能隙大于3.4 eV，在高功率、高頻和高溫環境下展現出優異性能，遠超前三代半導體材料。研究團隊聚焦于β-氧化鎵，其超寬能隙（4.8~4.9 eV）和高崩潰電場強度（8 MV/cm）使其在高功率電子元件領域具備顯著優勢。
富士康研究院半導體所所長郭浩中表示，此次技術突破體現了富士康在高壓、高頻元件研發領域的深厚積累。未來，這些成果將為通訊及高功率技術領域帶來深遠影響。研究團隊還通過精確的材料設計與實驗驗證，實現了模擬與實驗數據的高度一致，為后續量產奠定了堅實基礎。
陽明交通大學教授洪瑞華補充道，研究不僅提升了β-Ga?O?元件的電流驅動能力和耐壓性，還通過優化生長參數與結構設計，為未來高功率電子產業應用開拓了新方向。
據悉，富士康研究院計劃進一步優化β-Ga?O?的結構設計與制程技術，推動全球高功率電子產業的發展。

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