據(jù)Tom's Hardware報道，國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC近日正式發(fā)布了HBM4高帶寬存儲器標(biāo)準(zhǔn)。這一新標(biāo)準(zhǔn)旨在滿足人工智能（AI）、高效能運算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對存儲器性能的快速增長需求。
HBM4在HBM3的基礎(chǔ)上進行了多項優(yōu)化升級。其界面帶寬提升至2,048位元，傳輸速率達(dá)到每秒8Gb，總帶寬最高可達(dá)每秒2TB。同時，堆疊層內(nèi)的獨立通道數(shù)量從16個增加到32個，每個通道還包含兩個偽通道，顯著提升了數(shù)據(jù)存取的靈活性和多任務(wù)并行能力。
在能耗方面，HBM4支持多種供應(yīng)商自定義電壓選項，包括0.7V至0.9V的VDDQ以及1.0V或1.05V的VDDC，能夠根據(jù)不同系統(tǒng)需求降低功耗，提高能效表現(xiàn)。此外，HBM4兼容現(xiàn)有的HBM3控制器，為系統(tǒng)設(shè)計和部署提供了更高靈活性。
HBM4還引入了定向刷新管理（DRFM）功能，增強了對Rowhammer攻擊的防護能力，并提升了存儲器的可靠性、可用性和可維修性（RAS）。在容量支持上，HBM4可支持4層至16層堆疊，單顆晶粒密度為24Gb或32Gb，單一結(jié)構(gòu)最高容量可達(dá)64GB，滿足了AI與HPC應(yīng)用對高密度存儲的需求。
架構(gòu)層面，HBM4分離了指令與數(shù)據(jù)匯流排，進一步提升了并行性并降低了延遲，優(yōu)化了多通道運算性能。同時，全新設(shè)計的物理界面和信號完整性方案，也為更高傳輸速率和通道效率提供了保障。
HBM4由三星電子、美光和SK海力士等存儲器巨頭聯(lián)合設(shè)計。三星已宣布計劃在2025年量產(chǎn)HBM4產(chǎn)品，以滿足AI芯片和云端運算領(lǐng)域?qū)Ω咝阅艽鎯ζ鞯膹妱判枨蟆?br/>

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