據(jù)韓媒報道，三星電子目前正在積極推進HBM3E 8層和12層產(chǎn)品的資格認證測試。按照計劃，該公司最早將在本月向英偉達大規(guī)模供應8層產(chǎn)品，并預計在今年上半年完成12層產(chǎn)品的交付。這一系列動作顯示出三星電子在高性能存儲芯片領(lǐng)域的布局正在加速。
HBM3E作為高帶寬存儲器的升級版本，廣泛應用于人工智能、數(shù)據(jù)中心和高性能計算領(lǐng)域。三星電子的快速推進，不僅體現(xiàn)了其在技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢，也表明市場需求的旺盛。業(yè)內(nèi)人士分析，英偉達作為全球領(lǐng)先的芯片設計公司，對高性能存儲器的需求將持續(xù)增長，而三星電子的供應能力將成為關(guān)鍵支撐。

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