據韓媒報道，三星電子目前正在積極推進HBM3E 8層和12層產品的資格認證測試。按照計劃，該公司最早將在本月向英偉達大規模供應8層產品，并預計在今年上半年完成12層產品的交付。這一系列動作顯示出三星電子在高性能存儲芯片領域的布局正在加速。
HBM3E作為高帶寬存儲器的升級版本，廣泛應用于人工智能、數據中心和高性能計算領域。三星電子的快速推進，不僅體現了其在技術上的領先優勢，也表明市場需求的旺盛。業內人士分析，英偉達作為全球領先的芯片設計公司，對高性能存儲器的需求將持續增長，而三星電子的供應能力將成為關鍵支撐。

本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-27-145282-0.html三星電子計劃4月實現8層HBM3E量產

聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： AMD出售美國AI伺服器組裝廠，臺廠競逐布局“美國制造”

下一篇： 佛山清溢光電高精度掩膜版基地進入設備安裝階段