據(jù)韓媒Money Today報(bào)道，美國(guó)總統(tǒng)川普近期表示，將在未來(lái)一周內(nèi)公布半導(dǎo)體關(guān)稅的具體稅率，但對(duì)部分企業(yè)可能會(huì)保留一定的彈性。韓國(guó)業(yè)界對(duì)此認(rèn)為，這無(wú)疑是“赤裸裸的投資施壓”。
目前，三星和SK海力士已在美國(guó)展開(kāi)多項(xiàng)投資。三星在德州奧斯汀擁有一座晶圓代工廠，并正在泰勒建設(shè)新廠，預(yù)計(jì)2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。不過(guò)，三星的美國(guó)工廠主要聚焦于系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域，未來(lái)是否會(huì)被要求投資其主力業(yè)務(wù)存儲(chǔ)器，仍是未知數(shù)。韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士指出，美國(guó)可能會(huì)向三星施壓，要求追加投資存儲(chǔ)器工廠，但具體政策尚未明確，需等待美國(guó)官方的正式文件。
SK海力士則正在印第安納州西拉法葉建設(shè)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）封裝工廠，預(yù)計(jì)2028年投入運(yùn)營(yíng)。值得注意的是，這項(xiàng)投資在拜登政府時(shí)期已敲定補(bǔ)貼金額，包括4.58億美元的直接補(bǔ)貼和最高5億美元的政府貸款。然而，隨著川普上任，美國(guó)正以“補(bǔ)貼重新協(xié)商”為由，要求SK海力士追加投資。
此外，三星和SK海力士在中國(guó)的生產(chǎn)布局也可能受到影響。三星在西安的NAND Flash產(chǎn)量占其總產(chǎn)量的40%，而SK海力士在無(wú)錫的DRAM產(chǎn)量也占其總產(chǎn)量的40%。韓媒分析稱(chēng)，美國(guó)關(guān)稅政策的主要目標(biāo)是中國(guó)，不排除美國(guó)要求韓國(guó)企業(yè)縮減對(duì)中國(guó)投資的可能性。
據(jù)韓媒ET News報(bào)道，美國(guó)計(jì)劃自2025年4月21日起與韓國(guó)展開(kāi)貿(mào)易談判。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)研究院半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)研究委員金良彭表示，僅憑目前的關(guān)稅政策，美國(guó)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的施壓空間有限。若想吸引海外企業(yè)擴(kuò)大在美國(guó)的投資，美國(guó)需提供補(bǔ)貼等激勵(lì)措施。韓國(guó)企業(yè)應(yīng)將擴(kuò)大投資作為談判籌碼，以爭(zhēng)取更有利的結(jié)果。

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