近日，武漢集成電路產業迎來新一輪發展，多個重點項目簽約落地，其中包括備受關注的三維相變存儲器研發及產業化項目。該項目由芯連鑫（武漢）半導體有限公司投資，計劃在武漢經開區建設研發中心，聚焦新型存儲器PCM技術的突破，為AI算力網絡、數據中心和智能汽車等領域提供支持。
三維相變存儲器是一種基于三維堆疊結構與相變材料特性的非易失性存儲技術。其核心原理是通過相變材料在晶態與非晶態之間的可逆相變實現數據存儲，同時借助三維結構提升存儲密度和性能。這種技術被視為存儲領域的重要突破，性能介于傳統閃存和內存之間，具備斷電不丟失數據、速度快、容量適中以及成本較低的優勢。
據芯連鑫半導體相關負責人透露，其研發的PCM產品通過材料創新和三維堆疊技術，實現了存儲密度與速度的雙重提升。據“武漢經開區介紹”，該項目不僅將推動存儲芯片的研發，還將開發內存控制芯片、智能網卡光模塊等關鍵器件，構建從芯片設計到模組集成的完整產業鏈。目前，芯連鑫已與廣西天山電子等企業達成戰略合作，其研發成果將率先應用于AI服務器和車載智能系統。
據“華中科技大學集成電路學院”介紹，三維相變存儲器是當前最具競爭力的新型存儲技術之一，能夠滿足信息量爆發增長對存儲器性能的需求，為5G、元宇宙等前沿領域提供底層技術支撐。
武漢近年來高度重視集成電路產業發展，已形成覆蓋芯片設計、制造、封測及應用的完整產業鏈。據湖北省省委書記王忠林在今年初的政府工作報告中提到，2024年武漢光谷存儲芯片產值已突破600億元，規模位居全國第二。
在存儲芯片領域，武漢已形成以長江存儲、武漢新芯、長江萬潤半導體等企業為核心的產業集群。其中，長江存儲作為存儲器IDM企業，成功研發了中國首款3D NAND閃存，并在2020年推出業界領先的第三代QLC閃存。目前，其產品廣泛應用于移動通信、數據中心和服務器等領域。
武漢新芯則專注于特色存儲、數模混合和三維集成等領域，是中國大陸規模最大的NOR Flash制造廠商。據上交所官網顯示，武漢新芯正在沖刺資本市場，2024年前三季度實現營業總收入31.46億元，歸母凈利潤1.38億元。

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