據韓媒asiae報道，三星計劃于2025年11月量產首款采用2納米工藝的Exynos 2600芯片。若該芯片順利搭載于2026年初發布的Galaxy S26系列，三星將借此展示其2納米技術實力，吸引更多外部客戶。
Exynos 2600采用了Gate-All-Around（GAA）技術，這一工藝相比傳統的FinFET技術更為先進。GAA技術通過四面環繞晶體管結構，顯著提升了芯片性能并降低了功耗，滿足高性能芯片需求。三星此前已率先實現3納米GAA工藝的量產，但因良率較低，未能扭轉代工業務的虧損局面。
新任Foundry事業部負責人韓真晚（Han Jinman）上任后，三星在2納米工藝上取得了顯著進展。他上任僅四個月，便著手優化生產良率，并全面調整了生產線和運營模式。目前，2納米工藝的良率已從年初的20-30%提升至40%以上，遠超3納米時期的表現。
盡管如此，三星與行業龍頭臺積電的差距依然明顯。據TrendForce數據顯示，2024年第四季度，臺積電的市場份額達67.1%，而三星僅為8.1%，首次跌至個位數。此外，臺積電的2納米工藝初期良率已達到60%，而量產通常需要良率達到70-80%。三星需在下半年進一步優化工藝，以縮小與臺積電的差距。
韓真晚提出了“技術提升”和“客戶拓展”兩大目標，推動代工業務轉型。他積極拓展三星的客戶群，從北美大廠擴展至中國、印度和歐洲的設計公司，增加成熟制程訂單，以降低固定成本并提升競爭力。

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