生成式AI的快速發(fā)展對(duì)算力需求激增，推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)進(jìn)入全新技術(shù)競(jìng)爭階段。據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子正積極布局存儲(chǔ)技術(shù)，并在中國西安廠內(nèi)建設(shè)數(shù)據(jù)中心，提前驗(yàn)證浸沒式冷卻技術(shù)及SSD材料與冷卻液的兼容性。
三星電子軟件發(fā)展團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁吳文旭透露，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)對(duì)AI變革感到震撼。例如，近期備受關(guān)注的DeepSeek項(xiàng)目中，約40%-60%的基礎(chǔ)設(shè)施依賴SSD實(shí)現(xiàn)，凸顯了DRAM與高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）在AI應(yīng)用中的核心地位。
為了應(yīng)對(duì)AI革命，三星認(rèn)為產(chǎn)業(yè)生態(tài)合作至關(guān)重要。目前，三星在中國已建立3個(gè)生產(chǎn)基地、3個(gè)研發(fā)中心和4個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，西安廠便是其重要布局之一。該廠不僅規(guī)模龐大，還引入數(shù)碼分身技術(shù)，通過AI模擬工廠運(yùn)行，以提升運(yùn)營效率。
吳文旭分享了西安廠內(nèi)AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)過程，其中散熱冷卻技術(shù)成為內(nèi)部爭議焦點(diǎn)。盡管氣冷散熱仍是主流，但三星最終決定同時(shí)采用液冷和氣冷技術(shù)，以支持高性能AI負(fù)載。此外，供電規(guī)格也引發(fā)討論，三星最終選擇66Kw電源，為未來AI應(yīng)用提供更高效能支持。

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在沉浸式冷卻領(lǐng)域，三星從3年前開始測(cè)試DRAM冷卻技術(shù)，克服了產(chǎn)品可靠性和材料兼容性等難題，目前已突破DRAM熱管理瓶頸，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代快閃存儲(chǔ)器測(cè)試。
同時(shí)，三星高度關(guān)注量子計(jì)算技術(shù)，積極為未來量子時(shí)代做準(zhǔn)備。其前量子階段技術(shù)已準(zhǔn)備就緒，包括采用量子耐受口令（PQC）和SPDM協(xié)定，以確保SSD安全性和數(shù)據(jù)保護(hù)。
為滿足AI市場(chǎng)需求，三星還推出定制化HBM解決方案，支持客戶IP整合，并計(jì)劃將DDR5升級(jí)至256GB大容量。此外，三星將重點(diǎn)布局MRDIMM和CXL技術(shù)，以搶占新興市場(chǎng)先機(jī)。

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