在第四屆中國（南京）新賽道大會上，《中國新賽道體系發展報告2025》正式發布，報告預測了2025年“年度十大潛力新賽道”，涵蓋生成式AI、具身智能、商業航天、生物制造、第三代半導體、新型儲能、低空經濟、量子科技、腦機接口和6G等領域。其中，第三代半導體成為南京重點布局的“賽道名片”之一。
南京已將第三代半導體列入戰略性新興產業，并出臺專項扶持政策。江北新區等區域明確將第三代半導體作為核心發展方向，致力于構建全產業鏈生態。
科研方面，南京大學、東南大學和南京理工大學等高校發揮了重要作用。東南大學寬帶隙半導體技術教育部重點實驗室在GaN垂直結構器件技術上取得進展，導通電阻降低40%；南京大學電子科學與工程學院則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術上實現突破。這些成果為南京在碳化硅器件和氮化鎵外延片等領域的技術發展奠定了堅實基礎。

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