近日，意法半導體與英諾賽科簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議，雙方將結合各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力與供應鏈韌性。據意法半導體透露，兩家公司均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將充分發揮IDM模式的優勢。
英諾賽科在公告中指出，氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。公司已率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多個領域市場。通過與意法半導體的戰略合作，雙方將共同開發下一代氮化鎵技術，加速其普及。
此次合作中，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可利用英諾賽科在中國的制造資源生產自有氮化鎵晶圓。意法半導體表示，這將有助于完善其現有的硅和碳化硅產品組合，并通過靈活的制造模式更好地服務全球客戶。
技術方面，雙方將致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。資料顯示，英諾賽科的氮化鎵產品廣泛應用于低壓、中壓和高壓領域，涵蓋從15V至1200V的工藝節點，其晶圓、分立器件、集成功率集成電路（IC）及模組產品為客戶提供了強勁可靠的解決方案。
近日，英諾賽科發布的公告顯示，2024年公司營業收入達人民幣8.28億元，同比增長39.8%。其中，消費電子應用領域收入同比增長48%。在新能源汽車、AI及人形機器人領域，公司也取得了顯著進展：車規級氮化鎵交付數量同比增長986.7%，AI及數據中心芯片交付數量同比增長669.8%。

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