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中科院全固態(tài)DUV光源技術(shù)突破!

來(lái)源:icspec 責(zé)編: 時(shí)間:2025-03-26 11:03:10 48觀看
導(dǎo)讀據(jù)國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)報(bào)道,中國(guó)科學(xué)院(CAS)研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外(DUV)激光,能發(fā)射193納米的相干光(Coherent Light),與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(zhǎng)一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國(guó)際光電工

據(jù)國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)報(bào)道,中國(guó)科學(xué)院(CAS)研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外(DUV)激光,能發(fā)射193納米的相干光(Coherent Light),與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(zhǎng)一致。

相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)的官網(wǎng)上。

論文地址:
https://www.spiedigitallibrary.org/journals/advanced-photonics-nexus/volume-4/issue-02/026011/Compact-narrow-linewidth-solid-state-193-nm-pulsed-laser-source/10.1117/1.APN.4.2.026011.full

中國(guó)中科院開發(fā)固態(tài)深紫外光雷射,未來(lái)或可應(yīng)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程的曝光機(jī)設(shè)備。法新社
圖源:法新社

據(jù)Tom's Hardware引述國(guó)際光學(xué)與光子學(xué)會(huì)(SPIE)報(bào)告指出,上述固態(tài)DUV技術(shù)可應(yīng)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程的曝光機(jī)設(shè)備,挑戰(zhàn)目前以氣態(tài)準(zhǔn)分子雷射為主的曝光技術(shù)。

以傳統(tǒng)技術(shù)來(lái)看,全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon,均采用氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光技術(shù)產(chǎn)生193nm光源。這種技術(shù)通過氬(Ar)和氟(F)氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩(wěn)定分子ArF(或準(zhǔn)分子),釋放出193納米波長(zhǎng)的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射,輸出功率可達(dá)100 W~120 W,頻率在8 kHz~9 kHz之間,最終通過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)整后用于光刻設(shè)備。

圖源:Advanced Photonics Nexus

相比之下,中科院的固態(tài)DUV激光技術(shù)完全基于固態(tài)設(shè)計(jì),由其核心由自制的Yb:YAG晶體放大器生成1,030納米激光,并通過兩條不同的光學(xué)路徑進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。一種路徑采用四次諧波轉(zhuǎn)換(FHG),將1,030納米激光轉(zhuǎn)換為258納米,輸出功率為1.2 W;另一種路徑利用光學(xué)參數(shù)放大(OPA)技術(shù),將1,030納米轉(zhuǎn)換為1,553納米,輸出功率為700 mW。

圖源:Advanced Photonics Nexus

最終,這兩束激光(258納米和1,553納米)通過串級(jí)硼酸鋰(LBO)晶體混合,生成193納米波長(zhǎng)的激光光束。其平均功率為70 mW,頻率為6 kHz,線寬低于880 MHz,光譜純度與現(xiàn)有商用準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)相當(dāng)。

然而,這一測(cè)試系統(tǒng)的輸出功率相比ASML ArF準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)仍存在數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)的差距,后者可提供100~120W的功率,且運(yùn)作頻率達(dá)9 kHz。反觀中國(guó)中科院的固態(tài)DUV則分別僅70 mW、6 kHz,仍無(wú)法滿足高產(chǎn)能晶圓制造的需求。

這項(xiàng)技術(shù)仍處于早期研究階段,能否實(shí)現(xiàn)商用仍待進(jìn)一步驗(yàn)證。

盡管如此,新技術(shù)仍突破傳統(tǒng)準(zhǔn)分子雷射的限制,若能進(jìn)一步提升功率并解決穩(wěn)定性問題,有來(lái)可望為半導(dǎo)體制程提供新的曝光光源選擇。分析認(rèn)為,這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展將取決于未來(lái)幾代的研發(fā)與工程突破。

為了探索新的應(yīng)用,中科院團(tuán)隊(duì)還在1553 nm激光器的光路中引入了螺旋相位板 (SPP),將其高斯模式轉(zhuǎn)換為拓?fù)潆姾蔀?的帶有軌道角動(dòng)量(OAM)的渦旋光束。然后將該渦旋光束用作頻率轉(zhuǎn)換的泵浦源,成功地將OAM轉(zhuǎn)移到221 nm和193 nm激光器。結(jié)果,獲得了193 nm處的渦旋光束,拓?fù)潆姾蔀?。據(jù)稱,這是第一個(gè)使用OPA和級(jí)聯(lián)LBO晶體的緊湊型193 nm激光發(fā)生系統(tǒng),也是固態(tài)激光器在193 nm處產(chǎn)生渦旋光束的首次演示。這種創(chuàng)新配置為固態(tài)激光技術(shù)的應(yīng)用開辟了新的可能性。

圖源:Advanced Photonics Nexus


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