據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（簡稱“芯粵能”）近期宣布，經(jīng)過近兩年的技術(shù)研發(fā)與測試，公司已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。這一平臺采用芯粵能自主研發(fā)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，具備顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度等優(yōu)勢，同時有效突破了平面MOSFET性能提升的瓶頸，大幅提升了芯片性能并降低了成本。
芯粵能表示，第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品表現(xiàn)優(yōu)異，單片最高良率超過97%。在23mm2芯片尺寸下，導(dǎo)通電阻為12.5mΩ，比導(dǎo)通電阻為2.3mΩ?cm2，其性能指標已達到國際領(lǐng)先廠商的主流水平。此外，該產(chǎn)品在溫升系數(shù)、開關(guān)損耗、抗雪崩和抗短路能力等方面均能滿足產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，并于2025年1月通過了HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關(guān)鍵可靠性測試的1000小時考核，實現(xiàn)零失效。
除第一代產(chǎn)品外，芯粵能正在積極推進第二代和第三代溝槽MOSFET的研發(fā)工作，以進一步鞏固其在國內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，并逐步實現(xiàn)對國際領(lǐng)先廠商的趕超。
據(jù)透露，芯粵能在2024年完成了10億元的A輪融資，投資方包括廣東省集成電路基金和國投創(chuàng)業(yè)等機構(gòu)。這筆資金將用于8英寸產(chǎn)線的建設(shè)及市場拓展。芯粵能計劃總投資75億元，分兩期建設(shè)年產(chǎn)48萬片碳化硅晶圓的生產(chǎn)線，目標是在2026年實現(xiàn)產(chǎn)能全面釋放。

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