據長三角國際半導體博覽會消息，廣東芯粵能半導體有限公司（簡稱“芯粵能”）近期宣布，經過近兩年的技術研發與測試，公司已成功開發出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。這一平臺采用芯粵能自主研發的溝槽MOSFET結構，具備顯著降低比導通電阻、提高電流密度等優勢，同時有效突破了平面MOSFET性能提升的瓶頸，大幅提升了芯片性能并降低了成本。
芯粵能表示，第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品表現優異，單片最高良率超過97%。在23mm2芯片尺寸下，導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ?cm2，其性能指標已達到國際領先廠商的主流水平。此外，該產品在溫升系數、開關損耗、抗雪崩和抗短路能力等方面均能滿足產業應用需求，并于2025年1月通過了HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關鍵可靠性測試的1000小時考核，實現零失效。
除第一代產品外，芯粵能正在積極推進第二代和第三代溝槽MOSFET的研發工作，以進一步鞏固其在國內的技術領先地位，并逐步實現對國際領先廠商的趕超。
據透露，芯粵能在2024年完成了10億元的A輪融資，投資方包括廣東省集成電路基金和國投創業等機構。這筆資金將用于8英寸產線的建設及市場拓展。芯粵能計劃總投資75億元，分兩期建設年產48萬片碳化硅晶圓的生產線，目標是在2026年實現產能全面釋放。

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