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三星與長江存儲合作推動閃存技術革新,突破400層堆疊

來源: 責編: 時間:2025-03-02 09:09:41 99觀看
導讀三星宣布基于中國長江存儲的專利技術,推出了全新的第十代V-NAND閃存,堆疊層數超過400層,重回世界領先地位。此次創新標志著三星在存儲技術領域的再次飛躍。三星此次采用了長江存儲的Xtacking晶棧架構,通過雙晶圓技術將控

三星宣布基于中國長江存儲的專利技術,推出了全新的第十代V-NAND閃存,堆疊層數超過400層,重回世界領先地位。此次創新標志著三星在存儲技術領域的再次飛躍。
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三星此次采用了長江存儲的Xtacking晶棧架構,通過雙晶圓技術將控制電路與存儲陣列分別制造,并通過鍵合技術組合在一起。這一設計不僅降低了生產難度和成本,更為未來技術升級鋪平道路。相比之下,傳統的單晶圓設計在層數和密度急劇增加的過程中面臨著技術瓶頸。W3w28資訊網——每日最新資訊28at.com


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盡管三星的新閃存在存儲密度方面略遜色于其他競爭對手,如鎧俠,但它的最大亮點在于層數。該閃存的堆疊層數已超越了之前創下332層記錄的閃存產品。W3w28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此外,第十代V-NAND的接口傳輸速度也令人矚目,達到了5600MT/s(700MB/s),充分支持最新的PCIe 4.0、5.0及6.0接口標準,為高速存儲需求提供強有力支持。W3w28資訊網——每日最新資訊28at.com


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