在存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新的進(jìn)程中，鎧俠（Kioxia）與閃迪（Sandisk）在 2025 年的 ISSCC 展會(huì)上，聯(lián)合推出了具有里程碑意義的第 10 代 3D 閃存技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)憑借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、優(yōu)異的電源效率以及更高的密度，為行業(yè)樹(shù)立了全新標(biāo)準(zhǔn)。
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該技術(shù)運(yùn)用最新的 Toggle DDR6.0 接口標(biāo)準(zhǔn)和 SCA（分離指令地址）協(xié)議，搭配 PI-LTT（電力隔離低接觸終端）技術(shù)，大幅提升了 NAND 接口速度。相較于當(dāng)下大規(guī)模生產(chǎn)的第 8 代 3D 閃存，第 10 代產(chǎn)品的接口速度提高了 33%，達(dá)到 4.8Gb/s。這意味著數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度將得到極大優(yōu)化，無(wú)論是數(shù)據(jù)中心處理海量數(shù)據(jù)，還是高性能計(jì)算機(jī)追求快速響應(yīng)，都能獲得更高效的支持。20x28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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在電源效率方面，新技術(shù)成果斐然。借助 PI-LTT 技術(shù)，它成功使輸入功耗降低 10%，輸出功耗降低 34%。在提升性能的同時(shí)，有效降低了能耗，契合現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排的迫切需求。對(duì)于人工智能、大數(shù)據(jù)分析等對(duì)計(jì)算資源和能源消耗巨大的領(lǐng)域而言，這種低功耗特性極具價(jià)值。20x28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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從存儲(chǔ)密度來(lái)看，第 10 代 3D 閃存技術(shù)將存儲(chǔ)層數(shù)增至 332 層，并優(yōu)化布局以提高平面密度，位元密度提升了 59%。這使得存儲(chǔ)設(shè)備能夠在有限空間內(nèi)存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，有力地滿足了日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。20x28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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