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鎧俠與閃迪發布第10代3D閃存技術

來源: 責編: 時間:2025-02-23 08:09:17 79觀看
導讀在存儲技術持續創新的進程中,鎧俠(Kioxia)與閃迪(Sandisk)在 2025 年的 ISSCC 展會上,聯合推出了具有里程碑意義的第 10 代 3D 閃存技術。這項技術憑借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、優異的電源效率以及更高的密度,為行業樹立

在存儲技術持續創新的進程中,鎧俠(Kioxia)與閃迪(Sandisk)在 2025 年的 ISSCC 展會上,聯合推出了具有里程碑意義的第 10 代 3D 閃存技術。這項技術憑借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、優異的電源效率以及更高的密度,為行業樹立了全新標準。
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該技術運用最新的 Toggle DDR6.0 接口標準和 SCA(分離指令地址)協議,搭配 PI-LTT(電力隔離低接觸終端)技術,大幅提升了 NAND 接口速度。相較于當下大規模生產的第 8 代 3D 閃存,第 10 代產品的接口速度提高了 33%,達到 4.8Gb/s。這意味著數據讀寫速度將得到極大優化,無論是數據中心處理海量數據,還是高性能計算機追求快速響應,都能獲得更高效的支持。Q8z28資訊網——每日最新資訊28at.com


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在電源效率方面,新技術成果斐然。借助 PI-LTT 技術,它成功使輸入功耗降低 10%,輸出功耗降低 34%。在提升性能的同時,有效降低了能耗,契合現代數據中心節能減排的迫切需求。對于人工智能、大數據分析等對計算資源和能源消耗巨大的領域而言,這種低功耗特性極具價值。Q8z28資訊網——每日最新資訊28at.com


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從存儲密度來看,第 10 代 3D 閃存技術將存儲層數增至 332 層,并優化布局以提高平面密度,位元密度提升了 59%。這使得存儲設備能夠在有限空間內存儲更多數據,有力地滿足了日益增長的數據存儲需求。Q8z28資訊網——每日最新資訊28at.com


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