日韩成人免费在线_国产成人一二_精品国产免费人成电影在线观..._日本一区二区三区久久久久久久久不

當前位置:首頁 > 科技  > 芯片

三星調整1c DRAM設計,寄望HBM4E趕超SK海力士

來源: 責編: 時間:2025-02-22 08:35:08 56觀看
導讀據韓媒報道,三星電子正著手修改10納米級第六代(1c)DRAM設計,以應對應用于HBM4的1c DRAM良率不佳問題。三星通過調整線寬電路與電容器厚度來提高良率,盡管這將增加成本。同時,三星電容器厚度調節出現問題導致漏電流,公司正在

據韓媒報道,三星電子正著手修改10納米級第六代(1c)DRAM設計,以應對應用于HBM4的1c DRAM良率不佳問題。
cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com


cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星通過調整線寬電路與電容器厚度來提高良率,盡管這將增加成本。同時,三星電容器厚度調節出現問題導致漏電流,公司正在測試其他因素以達到最佳狀態。cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com


cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星的制程標準較競業更為嚴格,但自第一代1x DRAM開始,三星在過渡到更先進的制程時面臨效能發揮問題。因此,三星正朝著比原計劃更大尺寸的芯片方向發展,以提高1c DRAM的穩定性和完成度。cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com


cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com

市場預測認為,基于1c DRAM的HBM4將落后于競業。然而,三星計劃從第七代產品(HBM4E)開始追趕,并著重發展該產品,以期持平或超越競業。cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com


cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com

盡管三星與競業之間的差距不如HBM3或HBM3E時期那么大,但三星內部已轉向重點發展HBM4E,寄望借此趕超競業SK海力士。cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com


cwB28資訊網——每日最新資訊28at.com

本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-27-132563-0.html三星調整1c DRAM設計,寄望HBM4E趕超SK海力士

聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com

上一篇: 蘋果C1基帶芯片亮相iPhone 16e,主打低功耗待市場驗證

下一篇: 本田新型氫燃料電池亮相H2 & FC Expo,容積功率密度超過3倍

標簽:
  • 熱門焦點
Top 主站蜘蛛池模板: 渝中区| 东兴市| 通山县| 包头市| 漾濞| 常德市| 集安市| 运城市| 寿光市| 乐平市| 错那县| 南召县| 文成县| 瑞丽市| 福州市| 松桃| 维西| 凯里市| 达尔| 湖北省| 山阳县| 嘉荫县| 子洲县| 赤水市| 古丈县| 阿拉善右旗| 花垣县| 顺义区| 泰来县| 乡宁县| 松阳县| 沭阳县| 乾安县| 灵璧县| 伊通| 沈阳市| 河池市| 双辽市| 五大连池市| 宜都市| 平谷区|