日本存儲巨頭鎧俠(Kioxia)宣布了一項(xiàng)震撼業(yè)界的消息:成功研發(fā)出堆疊層數(shù)高達(dá)332層的3D NAND存儲器。相較于目前量產(chǎn)的218層產(chǎn)品,這一突破無疑展現(xiàn)了鎧俠在存儲技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力。
據(jù)悉,這款全新的3D NAND存儲器不僅堆疊層數(shù)大幅增加,其數(shù)據(jù)傳輸速度也實(shí)現(xiàn)了顯著提升,高達(dá)4.8Gbps,較之前的產(chǎn)品提升了33%。
這意味著用戶將享受到更加迅速、流暢的數(shù)據(jù)處理體驗(yàn)。同時(shí),該存儲器在功耗效率方面也表現(xiàn)出色,數(shù)據(jù)輸入和輸出時(shí)的功耗分別降低了10%和34%,實(shí)現(xiàn)了高效能與低功耗的完美平衡。
鎧俠表示,這款332層3D NAND存儲器將主要應(yīng)用于人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
此外,該技術(shù)還將應(yīng)用于即將推出的第10代3D NAND存儲器中,通過優(yōu)化平面布局進(jìn)一步提升存儲密度和位元密度。
盡管具體量產(chǎn)時(shí)間尚未確定,但鎧俠的這一技術(shù)突破無疑為存儲市場注入了新的活力。未來,隨著技術(shù)的不斷成熟和量產(chǎn)的推進(jìn),這款332層3D NAND存儲器有望成為存儲領(lǐng)域的新標(biāo)桿。
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