一年經驗在二線城市面試后端的經驗分享
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近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所取得了一項重要科研成果，成功實現了III-V族半導體量子點光源與CMOS工藝兼容的碳化硅光子芯片異質集成。
研究團隊采用創新性的混合集成方案，將含InAs量子點的GaAs波導精準堆疊至4H-SiC電光材料制備的微環諧振腔上，形成了回音壁模式的平面局域光場。這種獨特的結構設計不僅實現了量子點光源與CMOS工藝的兼容，還顯著提升了光子芯片的性能和集成度。
在進一步的研究中，團隊在芯片上集成了微型加熱器，實現了對量子點激子態光譜范圍的寬達4nm的調諧。這一片上熱光調諧能力使得腔模與量子點光信號能夠精準匹配，從而實現了微腔增強的確定性單光子發射。實驗證明，該技術在4H-SiC光子芯片上具有良好的擴展潛力，并能有效克服不同微腔間固有頻率差異帶來的問題。
這一成果結合了高純度單光子發射和CMOS工藝的兼容性，為光量子技術的實用化發展提供了重要支持。與傳統技術相比，該方案不僅提高了光子芯片的性能和集成度，還降低了制造成本，使其更適合大規模生產和應用。此外，該技術的成功也為未來光量子網絡的構建提供了新的思路，有望推動光量子通信、量子計算和量子傳感等領域的發展。
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