中國DRAM領先企業長鑫存儲正加速新一代DRAM開發與量產。其首款商用DDR5產品采用16納米制程,優于原計劃的17納米,而下一代15納米制程技術也將在2025年內完成開發,最快2026年下半年商用化。
長鑫存儲的16Gb DDR5產品,命名為“G4”,與上一代G3(18納米)相比,DRAM的Cell尺寸縮小20%。
盡管面臨美國出口管制,無法使用極紫外光(EUV)等先進設備,長鑫仍計劃利用現有設備開發更先進的制程技術。
長鑫此前主要生產基于17~18納米制程的DDR4和LPDDR4X,2024年成功推出中國首款LPDDR5,2025年初商用化DDR5。其G5制程目標鎖定15納米,計劃在2025年底前完成開發,若2026年成功完成樣品測試,市場將可見到G5制程產品。
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