3 月 23 日消息,三星電子美國分公司負責人韓進萬(Han Jin-man)近日發布 LinkedIn 動態,分享了兩張圖片,英偉達首席執行官黃仁勛參觀三星 GTC 2024 展臺時,在 HBM3E 12H 上留下了親筆簽名。
黃仁勛在宣傳“HBM3E 12H”產品卡片上,親筆簽下了“JENSEN APPROVED”的字樣。三星的 HBM3E 12H 是業界首款 12 層堆疊產品,英偉達目前正在對該產品進行驗證測試。
而在該照片發布之前,黃仁勛在吹風會中表示:“三星是一家非常非常優秀的公司,英偉達已經開始驗證三星的 HBM 內存芯片,并考慮在未來下單采購”。
韓進萬還在社交媒體上分享了一張照片,展示了黃仁勛在參觀三星展臺后和三星工作人員的合影照片。
黃仁勛并未正面表達親筆簽名的態度和確切含義,但業界猜測這反映了他對 HBM3E 的高度期望。
黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”(technological miracle),相比較傳統 DRAM,不僅可以提高數據中心的性能,功耗方面明顯更低。
IT酷哥此前報道,三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s,產品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
據介紹,HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前 HBM 封裝的要求。
因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米(μm),同時消除了層與層之間的空隙。
這些努力使其 HBM3E 12H 產品的垂直密度比其 HBM3 8H 產品提高了 20% 以上。
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