3 月 23 日消息,三星電子美國(guó)分公司負(fù)責(zé)人韓進(jìn)萬(wàn)(Han Jin-man)近日發(fā)布 LinkedIn 動(dòng)態(tài),分享了兩張圖片,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛參觀三星 GTC 2024 展臺(tái)時(shí),在 HBM3E 12H 上留下了親筆簽名。
黃仁勛在宣傳“HBM3E 12H”產(chǎn)品卡片上,親筆簽下了“JENSEN APPROVED”的字樣。三星的 HBM3E 12H 是業(yè)界首款 12 層堆疊產(chǎn)品,英偉達(dá)目前正在對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試。
而在該照片發(fā)布之前,黃仁勛在吹風(fēng)會(huì)中表示:“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司,英偉達(dá)已經(jīng)開始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片,并考慮在未來下單采購(gòu)”。
韓進(jìn)萬(wàn)還在社交媒體上分享了一張照片,展示了黃仁勛在參觀三星展臺(tái)后和三星工作人員的合影照片。
黃仁勛并未正面表達(dá)親筆簽名的態(tài)度和確切含義,但業(yè)界猜測(cè)這反映了他對(duì) HBM3E 的高度期望。
黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”(technological miracle),相比較傳統(tǒng) DRAM,不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能,功耗方面明顯更低。
IT酷哥此前報(bào)道,三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達(dá) 1280GB/s,產(chǎn)品容量也達(dá)到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
據(jù)介紹,HBM3E 12H 采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù),使得 12 層和 8 層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致,以滿足當(dāng)前 HBM 封裝的要求。
因?yàn)樾袠I(yè)正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項(xiàng)技術(shù)將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜(NCF)材料的厚度,并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至 7 微米(μm),同時(shí)消除了層與層之間的空隙。
這些努力使其 HBM3E 12H 產(chǎn)品的垂直密度比其 HBM3 8H 產(chǎn)品提高了 20% 以上。
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