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消息稱三星電子 2018 年錯失與英偉達制程、HBM、CUDA 綜合深度合作良機

來源: 責編: 時間:2025-07-23 15:18:33 20觀看
導讀 7 月 23 日消息,三星電子的半導體分支目前在先進工藝代工和 HBM 內存供應兩大方面都遭遇了未能獲得英偉達等大客戶的大訂單的困局。而根據韓國媒體 MK 的報道,三星電子在 7 年前本有可能通過不同行動避免當下危

7 月 23 日消息,三星電子的半導體分支目前在先進工藝代工和 HBM 內存供應兩大方面都遭遇了未能獲得英偉達等大客戶的大訂單的困局。而根據韓國媒體 MK 的報道,三星電子在 7 年前本有可能通過不同行動避免當下危機。wSV28資訊網——每日最新資訊28at.com

消息人士向這家媒體透露,英偉達 CEO 黃仁勛曾在 2018 年秘密訪問三星電子,希望在先進 HBM 內存開發、后 8nm 先進制程代工、CUDA 軟件生態培養三個方面展開綜合性的深度合作。wSV28資訊網——每日最新資訊28at.com

不過由于三星集團時任實際領導人李在镕陷入一系列案件調查,黃仁勛未能與李在镕見面。這一司法過程也影響了三星電子當時作出中長期決策的能力,黃仁勛提出的三項合作提議均被拒絕。wSV28資訊網——每日最新資訊28at.com

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在 HBM 內存領域,雖然 SK 海力士憑借與 AMD 的初始合作占據了先發優勢,但在 HBM2 時期三星一度掌握主導地位,而從 HBM3 世代開始 SK 海力士憑借與英偉達的密切合作重奪最大市占,這被認為與黃仁勛遭三星拒絕后選擇 SK 海力士作為開發伙伴有關。wSV28資訊網——每日最新資訊28at.com

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