三星電子宣布,已完成開(kāi)發(fā)全球首款32Gb(4GB) DDR5內(nèi)存芯片,迄今業(yè)界密度高,可據(jù)此打造1TB容量的內(nèi)存條。
就在此前5月份,三星剛剛開(kāi)始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片,頻率高達(dá)7200MT/s。

新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍!
不過(guò),三星并未披露具體頻率。
此前的128GB DDR5內(nèi)存條,必須使用TSV硅穿孔技術(shù),堆疊多顆芯片才能達(dá)成,而現(xiàn)在有了單顆64Gb,就不需要TSV堆疊了,從而將功耗降低大約10%。

只需要8顆這樣的芯片,就能達(dá)成單條32GB容量。
更進(jìn)一步,使用8-Hi 3DS堆疊技術(shù)將8顆32Gb芯片整合在一起,然后在一條內(nèi)存上安裝32顆,就能達(dá)成單條1TB容量!
有了它,AMD EPYC 9004這樣支持12通道內(nèi)存的服務(wù)器平臺(tái)上,就可以實(shí)現(xiàn)單路系統(tǒng)12TB內(nèi)存。
三星計(jì)劃在今年底量產(chǎn)32Gb DDR5內(nèi)存芯片。

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