快科技12月23日消息,據(jù)國外媒體報道稱,Intel的CEO接受采訪時表示,自家的18A制程(1.8nm)比領(lǐng)先臺積電N2,在這塊他們2年內(nèi)沒有對手。
報道稱,英特爾的未來取決于重新獲得半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位,這位CEO相信這將在兩年內(nèi)實現(xiàn)。
在Intel的CEO看來,其對20A和18A充滿信心,主要是因為它們采用了RibbonFET架構(gòu),即全柵極 (GAA) 晶體管和背面功率傳輸技術(shù)。
這些技術(shù)對于制造2nm芯片的公司來說至關(guān)重要,可以在降低功率泄漏的同時實現(xiàn)更高的邏輯密度和時鐘速度。
與此同時,臺積電的N3P和其他即將推出的3nm節(jié)點將繼續(xù)使用成熟的FinFET架構(gòu),直到英特爾一年后的N2節(jié)點轉(zhuǎn)向GAA。
不過臺積電并不買賬,公司總裁魏哲家之前聲稱,根據(jù)內(nèi)部評估,臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A,而且更早推出、更成熟、更省成本。
他還強調(diào),臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進,2025年推出的時候?qū)⒊蔀橄冗M的制程工藝。
值得一提的是,Intel的CEO之前還表示,英偉達的成功都是運氣。
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