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國產存儲第一大廠長鑫突破封鎖:發布GAA技術相關論文 可用在3nm芯片上

來源: 責編: 時間:2023-12-15 09:49:32 308觀看
導讀 快科技12月15日消息,在第69屆IEEE 國際電子器件會議(IEDM)上,國產存儲第一大廠長鑫帶來了一篇淪為,其在技術上有了突破,可以搞定3nm技術芯片。從長鑫發表的論文看,這是展示了其在環繞式閘極結構(Gate-All-Around,GAA

快科技12月15日消息,在第69屆IEEE 國際電子器件會議(IEDM)上,國產存儲第一大廠長鑫帶來了一篇淪為,其在技術上有了突破,可以搞定3nm技術芯片。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

從長鑫發表的論文看,這是展示了其在環繞式閘極結構(Gate-All-Around,GAA)技術上的突破,而它可以用在3nm工藝制程芯片上,而當然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

由于設備制程管制,長鑫現在還無法生產和制造,但這個論文已經顯示,他們擁有了這個技術實力,而這樣而是國產芯片自主突破的一個縮影。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

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在這之前,長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

長鑫存儲也是國內首家推出自主研發生產的LPDDR5產品的品牌,實現了國內市場零的突破。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。1gg28資訊網——每日最新資訊28at.com

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