快科技8月27日消息,華為服務器處理器鯤鵬系列要更新了,畢竟鯤鵬920是2019年發(fā)布的。
現(xiàn)在,有媒體曝光了華為鯤鵬930的信息,看起來升級幅度相當?shù)拇螅锌赡芤灿蒙狭?nm工藝。
報道中提到,鯤鵬930的封裝尺寸約為77.5mm x 58.0mm(畢竟是120核心),這是一個很大的尺寸,這主要是由于鯤鵬930采用Chiplet(小芯片)配置,由四個不同的芯片組成。
因此,整個芯片封裝由四個不同的計算小芯片組成,面積約為252.3 mm?,以及一個大型 I/O die,面積約為312.3 mm。與鯤鵬920相比,后繼產品的 I/O die 面積大約大了81.26%,主要是因為它提供了更高的96通道內存連接。
具體到CPU die的尺寸為 23.47mm x 10.75mm,包含十個CPU集群,每個集群由四個CPU內核,這意味著單個CPU die 有 40 個CPU內核。因此,鯤鵬930 的CPU內核總數(shù)為120個。
每個CPU die都擁有2MB 的二級緩存并共享 91MB 的三級緩存。仔細檢查 CPU 芯片可以得出結論,它基于華為自研的基于Arm指令集的“泰山”核心。
如果簡單來說,那就是鯤鵬930的CPU內核數(shù)量是前代鯤鵬920的2倍左右,以此來推算的話,可能是5nm工藝驅動的更高SRAM密度。
如果真是這樣的話,那么5nm工藝必然也會用到麒麟9300上。
要知道,之前就有博主爆料稱,外界盛傳的國產N+3(外界盛傳達到125mtr)工藝消息大概率是靠譜的,因為專利顯示的H210G56指標,計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示,如果真成了,那也意味著國產5nm工藝就達成穩(wěn)了。
據(jù)悉,中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度,達到了125MTr/mm(即每平方毫米125億個晶體管)。這一密度介于臺積電的N6(113MTr/mm)與三星早期的5nm(127MTr/mm)工藝之間,相當于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點(密度約35MTr/mm),N+3的密度提升幅度超過了250%,這標志著中芯國際在FinFET架構上的持續(xù)優(yōu)化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯(lián)想到“等效5nm”,但其實際性能功耗表現(xiàn)對標的是臺積電的N7P(7nm增強版)和N6工藝。這意味著在相同晶體管數(shù)量下,中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%,這主要受限于EUV光刻機的短缺導致的工藝復雜度不足。然而,對于長期依賴成熟制程的國產芯片而言,這一進步已經(jīng)足夠打破多項技術瓶頸。

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