快科技8月25日消息,SK海力士宣布,已完成開發并開始量產其321層2Tb QLC NAND閃存產品。
這也是全球首次使用QLC技術實現超過300層的NAND閃存,SK海力士計劃在明年上半年完成全球客戶驗證后正式推出該產品。
為了大化新產品的成本競爭力,SK海力士開發了一款容量為2Tb的設備,其容量是現有解決方案的兩倍。

為解決大容量NAND可能出現的性能下降問題,公司還將芯片內獨立操作單元(平面)的數量從4個增加到6個,從而實現更大的并行處理能力,明顯提升了同時讀取性能。
因此與之前的QLC產品相比,321層QLC NAND在容量和性能上都有明顯提升,數據傳輸速度翻倍,寫入性能提高了56%,讀取性能提高了18%,此外寫入功耗效率也提高了23%以上。
SK海力士計劃首先將321層NAND應用于PC SSD,然后擴展到數據中心的企業級SSD和智能手機的UFS。
此外SK海力士也將基于堆疊32個NAND閃存的封裝技術,達到比現有高出一倍的集成度,進入面向AI服務器的超高容量eSSD市場。

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