快科技10月18日消息,根據韓國媒體今天的報道,三星已經確認將其第5帶HBM3E產品命名為“Shinebolt”。隨著三星加快對HBM3E的開發和營銷,其有望追上SK海力士在該領域的步伐。
HBM屬于垂直連接多個DRAM,與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。由于其性能優勢,HBM通常被認為是人工智能時代的DRAM內存。
HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發,其中HBM3E是HBM3的擴展版本。
據相關人士透露,三星已經開始向客戶提供Shinebolt樣品來進行質量測試,該樣品的規格為8層24GB。此外,三星還將很快完成12層36GB產品的開發。
與HBM3相比,Shinebolt的大數據傳輸速度(帶寬)提升了約50%,可達1.228TB/S。相當于在1秒鐘內傳輸了230部FHD高清電影(每部容量5GB)
HBM的關鍵在于每層之間的連接方式,三星從HBM生產之初就一直的采用是熱壓縮非導電薄膜(TC-NCF)工藝,而其老對手SK海力士則采用的是質量回流成型底部填充(MR-MUF)工藝。當然,這二者孰優孰劣還是要交給市場來評判。
由于已經在HBM的開發和生產速度上落后于SK海力士,三星也開始重新制定戰略來奪回市場定位。其中主要的就是加速開發可能改變HBM規則的“混合連接”工藝。
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