多線程開發帶來的問題與解決方法
使用多線程主要會帶來以下幾個問題：（一）線程安全問題 線程安全問題指的是在某一線程從開始訪問到結束訪問某一數據期間，該數據被其他的線程所修改，那么對于當前線程而言，該線程
快科技8月4日消息，據報道，SK海力士正在開發400層堆疊的NAND閃存，將于2025年投入大規模量產，再次遙遙領先。
為了達成如此密集的堆疊，SK海力士使用了所謂的4D NAND閃存、混合鍵合技術，也就是W2W(wafer-to-wafer)結構，將兩塊晶圓鍵合在一起，和目前將閃存單元置于外圍驅動電路之上的PUC結構截然不同。
這就涉及到了連接不同晶圓的各種材料和技術，包括拋光、蝕刻、沉淀、引線等各個階段。
其實，這就頗有點長江存儲晶棧結構的味道了。
SK海力士在去年8月已經展示了321層堆疊閃存的樣品，是第一家做到300+層的，而且是TLC。
其他廠商方面，三星已經量產290層閃存，目標是2030年超過1000層。
美光已經將276層閃存投入實用。
鎧俠去年達成了218層，暗示有望在2027年就達到1000層。
長江存儲……不公開，也不能說。
本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-24-105699-0.htmlSK海力士明年量產400層閃存！能讓SSD更便宜嗎？
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號