快科技8月4日消息,據報道,SK海力士正在開發400層堆疊的NAND閃存,將于2025年投入大規模量產,再次遙遙領先。
為了達成如此密集的堆疊,SK海力士使用了所謂的4D NAND閃存、混合鍵合技術,也就是W2W(wafer-to-wafer)結構,將兩塊晶圓鍵合在一起,和目前將閃存單元置于外圍驅動電路之上的PUC結構截然不同。
這就涉及到了連接不同晶圓的各種材料和技術,包括拋光、蝕刻、沉淀、引線等各個階段。
其實,這就頗有點長江存儲晶棧結構的味道了。
SK海力士在去年8月已經展示了321層堆疊閃存的樣品,是第一家做到300+層的,而且是TLC。
其他廠商方面,三星已經量產290層閃存,目標是2030年超過1000層。
美光已經將276層閃存投入實用。
鎧俠去年達成了218層,暗示有望在2027年就達到1000層。
長江存儲……不公開,也不能說。
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