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三星電子開發3.3D封裝技術:有望2026 Q2量產

來源: 責編: 時間:2024-07-03 17:15:03 138觀看
導讀 近日,根據韓媒ETNews的消息,三星電子AVP先進封裝部門正在開發面向AI半導體芯片的“3.3D”先進封裝技術。根據目前放出的消息,這一封裝技術將GPU垂直堆疊在LCC(即SRAM緩存)上,兩部分鍵合為一體,類似于三星電子現有X-Cube 3D

近日,根據韓媒ETNews的消息,三星電子AVP先進封裝部門正在開發面向AI半導體芯片的“3.3D”先進封裝技術。Wma28資訊網——每日最新資訊28at.com

根據目前放出的消息,這一封裝技術將GPU垂直堆疊在LCC(即SRAM緩存)上,兩部分鍵合為一體,類似于三星電子現有X-Cube 3D IC封裝技術。Wma28資訊網——每日最新資訊28at.com

而在GPU+LCC緩存整體與HBM的互聯中,3.3D封裝技術將GPU+LCC和HBM位于銅RDL重布線中介層上,用硅橋芯片實現裸晶之間的直接連接,而銅RDL 重布線層又位于載板上方。Wma28資訊網——每日最新資訊28at.com

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根據三星方面消息,該設計能夠在不犧牲芯片設計的前提下,相較完全使用硅中介層的方案,降低22%的生產成本。Wma28資訊網——每日最新資訊28at.com

該技術有望在2026年第二季度實現量產。Wma28資訊網——每日最新資訊28at.com

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