近日,根據韓媒ETNews的消息,三星電子AVP先進封裝部門正在開發面向AI半導體芯片的“3.3D”先進封裝技術。
根據目前放出的消息,這一封裝技術將GPU垂直堆疊在LCC(即SRAM緩存)上,兩部分鍵合為一體,類似于三星電子現有X-Cube 3D IC封裝技術。
而在GPU+LCC緩存整體與HBM的互聯中,3.3D封裝技術將GPU+LCC和HBM位于銅RDL重布線中介層上,用硅橋芯片實現裸晶之間的直接連接,而銅RDL 重布線層又位于載板上方。
根據三星方面消息,該設計能夠在不犧牲芯片設計的前提下,相較完全使用硅中介層的方案,降低22%的生產成本。
該技術有望在2026年第二季度實現量產。
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