根據海外媒體Sammobile消息,三星計劃在6月于美國召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃。
據悉,該計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到了2026年。
按照這一時間規劃,如果一切順利,那么在1nm工藝問世前,三星將首先在2025年實現2nm“SF2”工藝的量產。
三星加速1nm工藝的信心,來自于“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術,該技術能顯著降低晶體管的漏電流,提升芯片功率效率。
值得一提的是,臺積電方面也在積極布局1nm工藝相關的技術。
據悉,臺積電計劃在2027年達到1.6nm的“A16節點”,并在2027到2028年左右,實現1.4nm工藝的量產。
如果三星計劃2026年量產1nm的消息屬實,那么或許將在一定程度上影響臺積電的工藝發展計劃。
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