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三星1nm制程提上日程:目標(biāo)2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

來(lái)源: 責(zé)編: 時(shí)間:2024-05-30 17:13:12 155觀看
導(dǎo)讀 根據(jù)海外媒體Sammobile消息,三星計(jì)劃在6月于美國(guó)召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃。據(jù)悉,該計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到了2026年。按照這一時(shí)間規(guī)劃,如果一切順利,那么在1nm工藝問(wèn)世前

根據(jù)海外媒體Sammobile消息,三星計(jì)劃在6月于美國(guó)召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,該計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到了2026年。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

按照這一時(shí)間規(guī)劃,如果一切順利,那么在1nm工藝問(wèn)世前,三星將首先在2025年實(shí)現(xiàn)2nm“SF2”工藝的量產(chǎn)。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

三星加速1nm工藝的信心,來(lái)自于“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術(shù),該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流,提升芯片功率效率。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

值得一提的是,臺(tái)積電方面也在積極布局1nm工藝相關(guān)的技術(shù)。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到1.6nm的“A16節(jié)點(diǎn)”,并在2027到2028年左右,實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝的量產(chǎn)。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

如果三星計(jì)劃2026年量產(chǎn)1nm的消息屬實(shí),那么或許將在一定程度上影響臺(tái)積電的工藝發(fā)展計(jì)劃。WFk28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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