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三星研發(fā)2nm芯片Exynos 2600:領(lǐng)先高通一步

來源: 責(zé)編: 時間:2024-05-24 17:18:38 127觀看
導(dǎo)讀 快科技5月24日消息,據(jù)媒體報道,在芯片制造領(lǐng)域,3nm方興未艾,圍繞著2nm的競爭已經(jīng)全面打響。三星正在研發(fā)2nm芯片Exynos 2600,代號Thetis,預(yù)計將在2025年下半年開始量產(chǎn),由Galaxy S26系列首發(fā)搭載。報道指出,Galaxy

快科技5月24日消息,據(jù)媒體報道,在芯片制造領(lǐng)域,3nm方興未艾,圍繞著2nm的競爭已經(jīng)全面打響。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

三星正在研發(fā)2nm芯片Exynos 2600,代號Thetis,預(yù)計將在2025年下半年開始量產(chǎn),由Galaxy S26系列首發(fā)搭載。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

報道指出,Galaxy S25系列將搭載3nm芯片Exynos 2500,對手驍龍8 Gen4也是采用3nm工藝,雙方步調(diào)將保持一致。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

但是在2025年下半年,三星將率先切入2nm工藝制程,Galaxy S26系列有望成為安卓陣營第一款2nm旗艦。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,三星2nm采用新一代MBCFET架構(gòu),與基于FinFET的工藝技術(shù)相比,前者晶體管性能提升了11%,同時漏電降低約50%。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

另一方面,MBCFET彼此堆疊在一起,鰭片側(cè)向放置,納米片的寬度可以調(diào)整,以提供比FinFET更多的溝道寬度選項,這是一個對整個設(shè)計有用的功能,這在模擬SRAM中具有顯著的優(yōu)勢。Fak28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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