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安卓旗艦集體升級(jí)！高通擁抱3nm：驍龍8 Gen4采用臺(tái)積電N3E工藝

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2023-08-09 23:02:21 320觀看

導(dǎo)讀 8月9日消息，據(jù)爆料，蘋(píng)果將在9月份發(fā)布iPhone 15系列，其中iPhone 15 Pro首發(fā)搭載蘋(píng)果A17放生芯片，這顆芯片采用臺(tái)積電3nm工藝，是2023年唯一一款3nm手機(jī)芯片。在蘋(píng)果之后，高通公司也將會(huì)切入到3nm工藝，2024年

8月9日消息，據(jù)爆料，蘋(píng)果將在9月份發(fā)布iPhone 15系列，其中iPhone 15 Pro首發(fā)搭載蘋(píng)果A17放生芯片，這顆芯片采用臺(tái)積電3nm工藝，是2023年唯一一款3nm手機(jī)芯片。

在蘋(píng)果之后，高通公司也將會(huì)切入到3nm工藝，2024年登場(chǎng)的高通驍龍8 Gen4將會(huì)使用臺(tái)積電3nm制程。

值得注意的是，蘋(píng)果A17芯片使用的是臺(tái)積電第一代3nm工藝N3B，高通公司的驍龍8 Gen4將會(huì)采用臺(tái)積電第二代3nm工藝N3E。

據(jù)悉，臺(tái)積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)量產(chǎn)。N3E是N3B的增強(qiáng)版，但從臺(tái)積電已經(jīng)披露的技術(shù)資料來(lái)看，柵極間距并不如N3B。

不僅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之間，這意味著芯片制造過(guò)程中有至少20%的產(chǎn)品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能會(huì)略低于N3B。

除了采用3nm工藝，高通驍龍8 Gen4將會(huì)啟用自研的Nuvia架構(gòu)，屆時(shí)高通將用2個(gè)Nuvia Phoenix性能核心和6個(gè)Nuvia Phoenix M核心的全新雙集群八核心CPU架構(gòu)方案，這將是高通驍龍5G Soc史上的一次重大變化。

按照慣例，高通驍龍8 Gen4將會(huì)在2024年Q4登場(chǎng)，屆時(shí)安卓陣營(yíng)旗艦將會(huì)集體邁進(jìn)3nm時(shí)代。

安卓旗艦集體升級(jí)！高通擁抱3nm：驍龍8 Gen4采用臺(tái)積電N3E工藝

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