快科技8月18日消息,對于華為麒麟處理器來說,這絕對是一個不錯的消息。
現在,有博主爆料稱,外界盛傳的國產N+3(外界盛傳達到125mtr)工藝消息大概率是靠譜的,因為專利顯示的H210G56指標,計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示,如果真成了,那也意味著國產5nm工藝就達成穩了。
據悉,中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度,達到了125MTr/mm(即每平方毫米125億個晶體管)。這一密度介于臺積電的N6(113MTr/mm)與三星早期的5nm(127MTr/mm)工藝之間,相當于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點(密度約35MTr/mm),N+3的密度提升幅度超過了250%,這標志著中芯國際在FinFET架構上的持續優化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯想到“等效5nm”,但其實際性能功耗表現對標的是臺積電的N7P(7nm增強版)和N6工藝。這意味著在相同晶體管數量下,中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%,這主要受限于EUV光刻機的短缺導致的工藝復雜度不足。然而,對于長期依賴成熟制程的國產芯片而言,這一進步已經足夠打破多項技術瓶頸。
之前有行業人士表示,華為海思麒麟芯片若采用N+3工藝,其性能有望接近驍龍888水平,足以支撐中高端手機市場的需求。有業內人士猜測,麒麟9300可能會搭載這一工藝。
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