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11月3日消息，據(jù)外媒報導(dǎo)，韓國三星電子近日告訴投資者，該公司將于2024年下半年開始使用其第二代3nm（SF3）制程技術(shù)及性能增強版的4nm（SF4X）制程技術(shù)來生產(chǎn)芯片。預(yù)計憑借這兩個制程節(jié)點，將顯著提高三星在晶圓代工市場的競爭地位，并藉由新制程來爭取生產(chǎn)客戶的新型產(chǎn)品。
三星電子在一份聲明中表示，由于移動市場需求的反彈，加上高性能計算（HPC）市場需求的持續(xù)增長，預(yù)計整體市場將觸底反彈，邁向增長方向?！耙虼耍覀儗⒃?024年下半年量產(chǎn)第二代3nm制程，以及用于HPC領(lǐng)域的第四代4nm制程技術(shù)來增強技術(shù)競爭力。”
根據(jù)現(xiàn)有數(shù)據(jù)顯示，三星第二代3nm（SF3）制程技術(shù)，是針對第一代3nm（SF3E）制程技術(shù)的重大的升級。雖然目前第一代的3nm技術(shù)僅用于制造加密貨幣挖礦應(yīng)用的小型芯片。但三星表示，其第二代3nm技術(shù)將通過允許在同一單元類型內(nèi)，使用不同的環(huán)繞刪極（GAA）晶體管/納米片信道寬度，以進一步提供更大的多功能性設(shè)計。
盡管三星沒有直接比較兩代3nm制程的差異，但三星表示，第二代3nm制程技術(shù)比第二代的4nm米制程技術(shù)（4LPP）提供了更重大進步。其中，包括在相同功率和復(fù)雜性的情況下，執(zhí)行性能提高了22%，或者在相同頻率和晶體管數(shù)量下，功耗降低34%。而且，芯片面積也將減少21%。第二代3nm制程技術(shù)將于2024年下半年進入大批量生產(chǎn)階段，同時比第一代3nm制程有更好的復(fù)雜設(shè)計選擇。
另外，三星的4nm系列程技術(shù)也在不斷發(fā)展當(dāng)中。對此，三星則準備推出強化版的4nm（SF4X）制程技術(shù)，以為數(shù)據(jù)中心使用的高性能CPU和GPU進行而定制化的生產(chǎn)，這也將是近年來第一個專為高性能計算（HPC）應(yīng)用而設(shè)計的制程節(jié)點。
三星的強化版的4nm制程技術(shù)有望將性能提高10%，同時功耗降低23%。雖然，三星尚未透露此比較的基準，但很可能參考了他們的當(dāng)前標(biāo)準的4nm制程技術(shù)流程。這種增強版制程是通過重新設(shè)計晶體管的源極和漏極區(qū)域、重新評價其在潛在高應(yīng)力條件下的性能、應(yīng)用先進的晶體管級設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（T-DTCO）以及實施來達成的。
報導(dǎo)強調(diào)，三星希望憑借著完善的MOL構(gòu)架，使強化版的4nm制程技術(shù)能實現(xiàn)60mV的CPU硅驗證最低工作電壓（Vmin），將斷態(tài)電流（IDDQ）的變異性降低10%，確保穩(wěn)定的高電壓（Vdd）運行以上1V且不會影響性能，并提高SRAM的制程程度。
編輯：芯智訊-林子
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