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臺積電3納米差點背鍋!iPhone15發熱禍首是一零件

來源: 責編: 時間:2023-10-06 19:16:57 259觀看
導讀 iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病,外界一度以為是臺積電3納米的問題,但蘋果官方上周末發聲明表示,主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程序(APP)交互作用下所導致。此外,有業內人士爆料,罪魁禍首恐怕是規格升級的DR

iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病,外界一度以為是臺積電3納米的問題,但蘋果官方上周末發聲明表示,主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程序(APP)交互作用下所導致。此外,有業內人士爆料,罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM(動態隨機存取內存)造成運行龐大負擔。Imy28資訊網——每日最新資訊28at.com

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202310/451138.htm

知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X(原名Twitter)上引述一位熟悉蘋果半導體業務的達人說法,「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首,規格升級的DRAM為了配合數據處理速度,消耗了更多電力,這個過程中就會產生熱?!?span style="display:none">Imy28資訊網——每日最新資訊28at.com

Revegnus也提到,該名業內人士認為,此問題可能會在一至兩個月內解決,并已經排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機后發現,搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM芯片。Imy28資訊網——每日最新資訊28at.com

此前,韓媒將iPhone 15過熱原因指向臺積電3納米制程,并提到此跡象可能是FinFET制程技術已經到達極限,而提早在3納米轉進GAA制程的三星將有突破點,且如果市場對臺積電3納米存疑,客戶可能會轉向或同時采用三星的產品,引起熱烈討論。Imy28資訊網——每日最新資訊28at.com

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