臺(tái)積電3納米差點(diǎn)背鍋！iPhone15發(fā)熱禍?zhǔn)资且涣慵?/h1>

來(lái)源： 責(zé)編： 時(shí)間：2023-10-06 19:16:57 260觀看

導(dǎo)讀 iPhone 15 Pro系列新機(jī)出現(xiàn)容易過(guò)熱的毛病，外界一度以為是臺(tái)積電3納米的問(wèn)題，但蘋果官方上周末發(fā)聲明表示，主要是iOS 17系統(tǒng)的漏洞與第三方應(yīng)用程序（APP）交互作用下所導(dǎo)致。此外，有業(yè)內(nèi)人士爆料，罪魁禍?zhǔn)卓峙率且?guī)格升級(jí)的DR

iPhone 15 Pro系列新機(jī)出現(xiàn)容易過(guò)熱的毛病，外界一度以為是臺(tái)積電3納米的問(wèn)題，但蘋果官方上周末發(fā)聲明表示，主要是iOS 17系統(tǒng)的漏洞與第三方應(yīng)用程序（APP）交互作用下所導(dǎo)致。此外，有業(yè)內(nèi)人士爆料，罪魁禍?zhǔn)卓峙率且?guī)格升級(jí)的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）造成運(yùn)行龐大負(fù)擔(dān)。pcH28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202310/451138.htm

知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋果半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的達(dá)人說(shuō)法，「幾乎已經(jīng)確定iPhone 15系列的DRAM是發(fā)燙的罪魁禍?zhǔn)祝?guī)格升級(jí)的DRAM為了配合數(shù)據(jù)處理速度，消耗了更多電力，這個(gè)過(guò)程中就會(huì)產(chǎn)生熱。」pcH28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Revegnus也提到，該名業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，此問(wèn)題可能會(huì)在一至兩個(gè)月內(nèi)解決，并已經(jīng)排除其他會(huì)引起過(guò)熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機(jī)后發(fā)現(xiàn)，搭載的DRAM是美光最先進(jìn)的D1β LPDDR5 DRAM芯片。pcH28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此前，韓媒將iPhone 15過(guò)熱原因指向臺(tái)積電3納米制程，并提到此跡象可能是FinFET制程技術(shù)已經(jīng)到達(dá)極限，而提早在3納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA制程的三星將有突破點(diǎn)，且如果市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電3納米存疑，客戶可能會(huì)轉(zhuǎn)向或同時(shí)采用三星的產(chǎn)品，引起熱烈討論。pcH28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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