盧偉冰長文解析K60至尊版 對Redmi有著里程碑式的意義
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快科技7月3日消息，鎧俠宣布，推出基于第八代BiCS FLASH 3D閃存技術的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四級單元）閃存，目前已開始送樣。
據悉，這款2Tb QLC存儲器擁有業界大容量，將存儲器容量提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內的多個應用領域的增長。
憑借其新的BiCS FLASH技術，通過專有工藝和創新架構，鎧俠實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。
此外，鎧俠還開發了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術，以提供更高的位密度和業界領先的接口速度（3.6Gbps(4)）。這些先進技術的應用，共同促成了2Tb QLC存儲器的誕生，成就了業界容量大的存儲器。
全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC產品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。
不僅如此，全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片，為業界提供領先的4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。
除2Tb QLC之外，鎧俠還推出了1Tb QLC版本。相較于容量優化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序寫入性能還能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用于高性能領域，包括客戶端SSD和移動設備。
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