快科技10月20日消息,據報道,三星計劃加大對極紫外(EUV)光刻設備的投資,購買新一批EUV光刻設備。
其中,存儲部門將部署五套專用標準EUV設備,以建立獨立生產線,三星位于平澤的晶圓代工廠和存儲生產線此前曾共用EUV設備。
同時三星將為晶圓代工部門新增兩套新的High NA EUV設備,三星計劃在2025年底和2026年初分別交付一套,用于其2nm制程的全面生產,其中一套將部署在華城廠區,另一套則可能部署在泰勒晶圓廠。
數據顯示,一套標準EUV設備的成本約為3000億韓元(約合人民幣15億元),而一套High NA EUV設備的成本約為5500億韓元(約合人民幣28億元)。
因此,三星在EUV方面的總支出約為2.6萬億韓元,這也彰顯了其在2nm晶圓代工領域的雄心。
High NA EUV光刻機是下一代芯片制造的關鍵技術,與傳統EUV相比,它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度,光學精度提升了40%。
這對于生產密度更高、更節能、性能更強大的2nm代工芯片以及先進存儲產品(如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4)至關重要。

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