高端芯片代工廠的競爭正趨于白熱化,這促使代工廠增加資本支出,以滿足客戶對新節(jié)點的生產(chǎn)需求。然而在這一大勢之下,三星據(jù)稱將削減其代工部門的支出。
據(jù)媒體引述消息人士的話稱,三星代工部門將在新的一年中將資本支出削減一半以上,僅撥款5萬億韓元(約35億美元),而去年這一數(shù)字為10萬億韓元。過去近10年來,三星每年都在芯片代工和內(nèi)存生產(chǎn)商投入數(shù)十億美元。
這一策略的變更可能反映出三星在客戶需求上面臨麻煩,以及公司希望提高效率的意愿。三星據(jù)悉在先進制造工藝上一直延期且良品率頻頻低于預(yù)期,導(dǎo)致其很難吸引到大型客戶。
消息還稱,三星位于韓國平澤工廠,負(fù)責(zé)生產(chǎn)4-7納米級芯片的生產(chǎn)線的利用率下降了30%以上。
與此同時,臺積電在上周表示,今年將大幅增加資本支出,為明年生產(chǎn)2納米級芯片做準(zhǔn)備。英特爾也表示將積極參與2納米級芯片的競爭,預(yù)計將小幅增加其資本支出。
攻守分化
三星可能將把2025年的重點放在韓國華城工廠的S3和平澤工廠的P2設(shè)施之上。S3中3納米芯片的產(chǎn)線可能部分升級為2納米,這幾乎不需要添置大量的全新生產(chǎn)設(shè)備就可以實現(xiàn)。
而到2025年,P2預(yù)計將安裝一條1.4納米芯片的測試線,月產(chǎn)能預(yù)估在2000-3000片晶圓。此外,三星還將對其他地區(qū)的工廠進行小規(guī)模投資,如其位于美國的泰勒工廠,計劃是升級現(xiàn)有晶圓廠,而不是擴大產(chǎn)能。
這種保守策略與臺積電的瘋狂擴張形成鮮明對比。臺積電計劃在2025年投資380億-420億美元的資金,較2024年的297.6億美元顯著增加。
其中70%的投資將流入先進工藝,10-20%則被分配給特殊技術(shù),剩下的部分投向先進封裝、測試、掩模制造和其他領(lǐng)域。
這也與臺積電在2025年下半年量產(chǎn)2納米芯片的規(guī)劃相符。臺積電聲稱,計劃中的2納米試生產(chǎn)芯片數(shù)量高于此前3納米和4納米芯片的試生產(chǎn)數(shù)量,這代表著該公司將需要更多的2納米產(chǎn)能。
英特爾則也計劃在今年晚些時候提高其18A制造工藝的芯片生產(chǎn)數(shù)量,同時為下一代節(jié)點進行準(zhǔn)備。業(yè)內(nèi)預(yù)計,該公司今年的資本支出將從2024年的110億-130億提高至120億-140億美元。
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