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RISC-V技術引領 高通谷歌合作再度刷新可穿戴市場

來源: 責編: 時間:2023-10-18 17:59:16 274觀看
導讀10月18日消息,高通宣布將攜手谷歌展開戰略合作,采用基于RISC-V技術的芯片制造可穿戴設備,進一步推動了智能手表等可穿戴設備領域的發展。RISC-V技術作為一項開源技術,正在與英國芯片設計公司Arm的昂貴專有技術展開競爭,不

10月18日消息,高通宣布將攜手谷歌展開戰略合作,采用基于RISC-V技術的芯片制造可穿戴設備,進一步推動了智能手表等可穿戴設備領域的發展。ANj28資訊網——每日最新資訊28at.com

RISC-V技術作為一項開源技術,正在與英國芯片設計公司Arm的昂貴專有技術展開競爭,不僅可以應用于制造智能手機芯片,還能支持人工智能高級處理器的研發。高通的此次合作,標志著美國公司積極探索和采用RISC-V技術的重要一步。ANj28資訊網——每日最新資訊28at.com

據ITBEAR科技資訊了解,盡管一些立法者對其他國家借助美國公司間的開放合作文化來推動其半導體產業的發展表示擔憂,但高通堅定地推進了基于RISC-V的技術,以加速可穿戴設備領域的商業化進程。這一合作計劃覆蓋了全球范圍,包括美國,將有助于加強安卓生態系統中更多產品的研發,使其能夠充分利用低功耗和高性能的定制處理器。ANj28資訊網——每日最新資訊28at.com

這一合作將為市場帶來更多智能可穿戴設備選擇,也將加速RISC-V技術在半導體領域的普及,為行業創新注入新的活力。高通和谷歌的合作將助力可穿戴設備領域的發展,使用戶能夠享受到更多創新和多樣性的產品。ANj28資訊網——每日最新資訊28at.com

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