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三星啟動首款3nm GAA工藝SoC量產，預計搭載于Galaxy S25

來源：責編：時間：2024-05-08 09:15:06 126觀看

導讀5月8日消息，近日，三星電子官方宣布，公司已順利啟動其首款采用3nm Gate AllAround(GAA)環(huán)繞式柵極工藝的片上系統(tǒng)(SoC)的量產工作。此芯片預計將搭載于即將發(fā)布的GalaxyS25系列智能手機上，標志著三星在半導體工藝技術上的

5月8日消息，近日，三星電子官方宣布，公司已順利啟動其首款采用3nm Gate AllAround(GAA)環(huán)繞式柵極工藝的片上系統(tǒng)(SoC)的量產工作。此芯片預計將搭載于即將發(fā)布的GalaxyS25系列智能手機上，標志著三星在半導體工藝技術上的又一重大突破。

這款新型移動芯片集成了中央處理器(CPU)、圖形處理器(GPU)以及來自Synopsis的多個知識產權(IP)模塊，構成了一個高性能的處理單元。為了提升芯片的性能及生產效率，三星電子選擇了與業(yè)界領先的電子設計自動化解決方案提供商Synopsys進行深入合作。通過使用Synopsys的aiEDA軟件，三星得以在芯片設計過程中實現(xiàn)精細化的優(yōu)化，進而提升芯片的整體性能。

三星開始量產首款 3nm Exynos芯片：Galaxy S25有望首發(fā)

據(jù)ITBEAR科技資訊了解，在芯片設計過程中，三星的工程師團隊還廣泛采用了Synopsys FusionCompiler等一系列先進的設計工具。這些工具不僅幫助三星實現(xiàn)了芯片性能的提升，還有效地降低了功耗，并優(yōu)化了芯片的物理尺寸。具體來說，通過設計分區(qū)優(yōu)化、多源時鐘樹綜合(MSCTS)、智能線優(yōu)化以及更加簡潔高效的分層設計等方法，三星成功地將芯片的運行頻率提高了300MHz，同時將功耗降低了10%。

三星此前在持續(xù)使用場景下，其生產的芯片往往會出現(xiàn)耗電量大及性能衰減的問題。然而，隨著此次GAA技術的引入，三星有望進一步改善這一狀況。GAA技術的采用不僅代表著三星在半導體工藝上的創(chuàng)新，也預示著其在解決傳統(tǒng)芯片性能瓶頸問題上邁出了堅實的一步。

標簽：三星

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