4月19日消息，近日，三星半導體在其韓國官網上發布了對兩位公司高管的采訪內容，主要聚焦于高帶寬內存(HBM)的未來發展。兩位高管在采訪中透露，三星正計劃運用TC-NCF工藝來生產16層的HBM4內存，這標志著該公司在內存技術領域的又一重要突破。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

TC-NCF，即帶凸塊的傳統多層DRAM間鍵合工藝，雖然相較于無凸塊的混合鍵合技術顯得更為傳統，但其穩定性和成熟度得到了業界的廣泛認可。然而，這種工藝的使用也意味著生產出的HBM內存在相同層數下會相對較厚。盡管如此，三星已經成功利用TC-NCF工藝推出了12層堆疊的36GBHBM3E內存，并在其生產過程中對散熱結構進行了優化，以確保在高堆疊層數下的內存可靠性。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

除了繼續使用TC-NCF鍵合技術外，三星還打算在未來的HBM4內存生產中引入混合鍵合技術，形成一種雙軌并行的生產策略。這一戰略決策顯示了三星在內存生產領域的技術靈活性和創新能力。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

據ITBEAR科技資訊了解，三星高管強調，為滿足未來人工智能通用智能(AGI)對算力的巨大需求，僅依靠AI處理器或內存廠商的單方面優化是遠遠不夠的。雙方需要緊密合作，共同研發出更適應AI需求的HBM內存產品。這也是三星邁向AGI目標的重要一步。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

為了更好地滿足用戶需求，并推動HBM內存技術的快速發展，三星電子計劃利用其全面的邏輯芯片代工、內存生產及先進封裝測試等業務優勢，構建一個完善的HBM內存定制生態平臺。這將使三星能夠快速響應各類用戶的定制需求，進一步提升其市場競爭力。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星還與多家客戶就未來的3D HBM內存技術進行了深入討論。k5W28資訊網——每日最新資訊28at.com

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