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格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產

來源: 責編: 時間:2023-08-07 16:31:17 234觀看
導讀 10 月 18 日消息,半導體制造商 GlobalFoundries (格芯) 宣布已獲得 3000 萬美元(約 2.16 億元人民幣)的政府聯邦資金,將用于在佛蒙特州 Essex Junction 工廠開發和生產高級半導

10 月 18 日消息,半導體制造商 GlobalFoundries (格芯) 宣布已獲得 3000 萬美元(約 2.16 億元人民幣)的政府聯邦資金,將用于在佛蒙特州 Essex Junction 工廠開發和生產高級半導體。該資金是 2022 年綜合撥款法案的一部分。tbt28資訊網——每日最新資訊28at.com

這筆資金將用于開發和實施氮化鎵半導體,即通常所說的 GaN 芯片。據該公司稱,這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱,電動汽車普及、電網升級改造以及 5G、6G 智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。tbt28資訊網——每日最新資訊28at.com

GlobalFoundries 總裁兼首席執行官 Thomas Caulfield 博士在一份聲明中說:“有了這筆新的聯邦資金,以及在 2023 年聯邦預算中可能獲得的進一步支持,GF 完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領導者?!?span style="display:none">tbt28資訊網——每日最新資訊28at.com

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