10月17日消息,提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命、高效率、緊湊型驅動電路和智能功率模塊解決方案的領先供應商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導體技術領域先進的芯片設計、器件研發、模塊制造及系統應用創新解決方案提供商重慶平創半導體研究院有限責任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰略合作伙伴關系，將針對碳化硅等第三代功率半導體的應用共同開展研發項目，使碳化硅功率器件的優良性能能夠在航空航天、數字能源、新能源汽車、智能電網、軌道交通、5G通信、節能環保等領域得以充分發揮，并提供優質的高功率密度和高溫應用系統解決方案。yAH28資訊網——每日最新資訊28at.com

第三代寬禁帶半導體（如碳化硅）已日趨成熟和大規模商業化，并且在幾乎所有電力電子領域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于體硅的功率器件，從而進入電動汽車、軌道交通、船舶、太陽能、風能、電網及儲能等等應用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益處是減小體積、提高效率；更為重要的進步，將是充分發揮碳化硅的性能優勢，從而能夠實現原本體硅IGBT難以實現或根本不能做到的應用，為系統應用設計者提供全新的拓展空間。yAH28資訊網——每日最新資訊28at.com

這些超越傳統體硅IGBT能力的電力電子應用的重要性體現在兩個主要方面：其一，在高功率密度應用中，功率器件本身的發熱所導致的溫升，使得器件耐溫能力的選擇和熱管理系統的設計尤顯重要；其二，由于受應用環境和成本的影響，許多高溫環境應用通常是沒有液冷條件的，這樣就更加考驗器件本身的耐溫能力及其高溫工作壽命。因此，高溫半導體技術對于第三代寬禁帶半導體技術的廣泛應用至關重要。yAH28資訊網——每日最新資訊28at.com

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