10月17日消息,提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長(zhǎng)壽命、高效率、緊湊型驅(qū)動(dòng)電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能能夠在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，并提供優(yōu)質(zhì)的高功率密度和高溫應(yīng)用系統(tǒng)解決方案。BPJ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

第三代寬禁帶半導(dǎo)體（如碳化硅）已日趨成熟和大規(guī)模商業(yè)化，并且在幾乎所有電力電子領(lǐng)域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于體硅的功率器件，從而進(jìn)入電動(dòng)汽車、軌道交通、船舶、太陽(yáng)能、風(fēng)能、電網(wǎng)及儲(chǔ)能等等應(yīng)用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益處是減小體積、提高效率；更為重要的進(jìn)步，將是充分發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)原本體硅IGBT難以實(shí)現(xiàn)或根本不能做到的應(yīng)用，為系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)者提供全新的拓展空間。BPJ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這些超越傳統(tǒng)體硅IGBT能力的電力電子應(yīng)用的重要性體現(xiàn)在兩個(gè)主要方面：其一，在高功率密度應(yīng)用中，功率器件本身的發(fā)熱所導(dǎo)致的溫升，使得器件耐溫能力的選擇和熱管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)尤顯重要；其二，由于受應(yīng)用環(huán)境和成本的影響，許多高溫環(huán)境應(yīng)用通常是沒(méi)有液冷條件的，這樣就更加考驗(yàn)器件本身的耐溫能力及其高溫工作壽命。因此，高溫半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)于第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。BPJ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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