是的,一萬億個晶體管的單芯片要來了。
目前,單個封裝可以放入1千億個晶體管。而Intel決定,把晶體管密度再翻10倍,達到萬億級。
近日,Intel中國研究院院長宋繼強在接受采訪時稱,從2023年到2030年,晶體管密度要在8年時間里翻10倍,即實現(xiàn)2的3次方的提升。
盡管這個目標相當激進,但Intel依然有信心實現(xiàn)。宋繼強表示,要達到單個封裝中集成一萬億個晶體管的目標,主要是兩方面。
一方面,要繼續(xù)依靠晶體管微縮,例如用厚度僅僅3個原子的超薄2D材料做更高效的GAA的晶體管。
另一方面,還需要依賴3D封裝技術,能夠進一步提升整個設備中的晶體管總量。
按照規(guī)劃,Intel 4(即7納米)工藝預計年底就會進入試產階段,未來將用于第14代的Meteor Lake處理器。
2023下半年,將邁入Intel 3(3納米)制程技術,預計第一批產品會在2024上半年登場。
Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾曾提出摩爾定律,其核心內容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。
換言之,處理器的性能大約每兩年翻一倍,同時價格下降為之前的一半。
近年來,對于“摩爾定律”可行性的爭論在半導體業(yè)界時有發(fā)生,但由此來看,Intel仍是摩爾定律的堅定支持者。
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