臺(tái)積電在近期舉辦的2025年北美技術(shù)論壇上,不僅揭開了其最先進(jìn)的A14邏輯制程的神秘面紗,還在先進(jìn)封裝技術(shù)方面帶來了一系列令人矚目的進(jìn)展。
據(jù)臺(tái)積電透露,他們正朝著2027年實(shí)現(xiàn)9.5倍光罩尺寸的CoWoS技術(shù)量產(chǎn)的目標(biāo)邁進(jìn)。這一技術(shù)的突破意味著,利用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯技術(shù),可以將多達(dá)12個(gè)甚至更多的HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)堆疊整合到一個(gè)封裝中,從而極大地提升了單個(gè)封裝所能容納的芯片面積。
在更大晶圓尺寸封裝系統(tǒng)領(lǐng)域,臺(tái)積電推出了SoW系統(tǒng)級晶圓技術(shù)的新升級——SoW-X。與SoW-P采用的Chip-First流程不同,SoW-X采用的是Chip-Last流程,即先在晶圓上構(gòu)建中介層,然后再添加芯片。臺(tái)積電計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的量產(chǎn)。
臺(tái)積電還展示了一系列高性能集成解決方案,其中包括專為HBM4設(shè)計(jì)的N12和N3制程邏輯基礎(chǔ)裸晶,以及運(yùn)用COUPE緊湊型通用光子引擎技術(shù)的SiPh硅光子整合方案。這些技術(shù)的推出,無疑將進(jìn)一步推動(dòng)高性能計(jì)算(HPC)和人工智能(AI)領(lǐng)域的發(fā)展。
臺(tái)積電還介紹了針對AI應(yīng)用的新型集成型電壓調(diào)節(jié)器/穩(wěn)壓器(IVR)。與傳統(tǒng)的電路板上的獨(dú)立電源管理芯片(PMIC)相比,IVR在垂直功率密度傳輸方面表現(xiàn)出色,傳輸效率高達(dá)5倍。這一技術(shù)的推出,將進(jìn)一步提升AI芯片的能效表現(xiàn)。
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